DDR3 a 30 nanometri, anche sui moduli da 32 GB

Samsung scommette sulle DDR3 a 30 nanometri, a tutti i livelli, per ridurre consumi e aumentare i margini di profitto. L'azienda sudcoreana ha presentato memorie da 2 e 4 GB in configurazione VLP UDIMM per PC desktop e SODIMM per notebook. Entrambe le soluzioni sono in grado di operare fino a 1600 MHz, mentre non sono ancora chiare tensioni e latenze di funzionamento.

Samsung solitamente non vende moduli di memoria direttamente sul canale retail, ma produce soluzioni che vengono acquistate e rimarchiate da altre aziende. È probabile quindi che in un futuro nemmeno troppo lontano approdino sul mercato memorie DDR3 con frequenze superiori.

Parallelamente Samsung ha annunciato la produzione in volumi di moduli da 32 GB (registered dual inline memory module, RDIMM), basati su chip DDR3 da 4 gigabit. Si tratta di chip che lavorano a 1866 MHz, realizzati a 30 nm e alimentati a 1,35 volt, orientati a sistemi per il cloud computing e ai server.

"Abbiamo intenzione di distribuire chip DDR3 da 4 Gbit più efficienti basati sul processo produttivo di classe 20 nm a partire dalla seconda metà dell'anno", ha dichiarato Wanhoon Hong, vicepresidente esecutivo, memory sales & marketing di Samsung Electronics.