Articoli e news    Prezzi

FeTRAM, memoria velocissima che salva la bolletta

15:01 - 27 settembre 2011 di Valerio Porcu

Ricercatori dell'Università di Purdue, negli Stati Uniti, hanno sviluppato un nuovo tipo di transistor, da applicare alla memoria basata su semiconduttori. L'aspetto più rilevante è che consuma energia solo nel cambiare stato, e può quindi aumentare l'autonomia dei dispositivi.

I ricercatori della Purdue University (Indiana, Stati Uniti) sono al lavoro su un nuovo tipo di memoria. Battezzata FeTRAM, questa tecnologia sfrutta i nanofili di silicio e un polimero "ferroelettrico" per ridurre drasticamente i consumi; questo risultato è reso possibile dalla realizzazione di un nuovo tipo di transistor detto ferroelettrico.

Il termine indica un materiale che mantiene la polarità anche in assenza ci campo elettrico (il nome si deve al comportamento somigliante del ferromagnete, ma non c'è ferro - Wikipedia). Grazie a questa proprietà il nuovo polimero può cambiare polarità all'applicazione di un campo elettrico.

Struttura della memoria FeTRAM

Come con il più noto e-ink, l'inchiostro elettronico usato nei lettori di e-book, si ha quindi un consumo di energia solo per la variazione di stato; per girare pagina, o per modificare lo stato di un transistor da zero a uno. L'acronimo FeTRAM indica quindi Ferroelectric Transistor Random Access Memory.  

Stiamo parlando quindi di memoria non volatile, che non si cancella cioè quando si spegne il computer (o lo smartphone o il tablet). Funzione svolta oggi da hard disk, SSD e memoria flash NAND. Rispetto a quest'ultima la memoria FeTRAM potrebbe consumare 99 volte meno. "In ogni caso il nostro dispositivo consuma di più, perché non è ottimizzato", spiega il Dott. Saptarshi Das. "Per le generazioni future di FeTRAM uno degli obiettivi principali sarà la riduzione del calore prodotto. Potrebbero essere anche più veloci rispetto a un altro tipo di memoria, chiamata SRAM" (che a sua volta è più veloce, e costosa, della DRAM usata nei PC - Wikipedia).  

Memoria su cui leggere e scrivere dati, resistente nel tempo, veloce e che consuma (e scalda) poco. Tutti gli elementi necessari e sufficienti per un computer moderno. La tecnologia FeTRAM potrebbe quindi sostituire l'attuale memoria NAND presente in un'infinità di dispositivi - ivi compresi tutti i moderni smartphone, schede di memoria e drive SSD - offrendo più prestazioni e consumi minori.

La ricerca è ancora acerba ma molto promettente, e potrebbe dare un valido contributo ai tentativi mirati di aumentare l'autonomia dei dispositivi portatili – sforzi che passano anche dallo sviluppo di batterie più capienti e dalla riduzione dei consumi degli altri componenti. 

Anche le prestazioni in più sono certamente un aspetto interessante, ma stiamo appena cominciando ad assaporare la velocità degli SSD, e probabilmente passerà ancora qualche tempo prima che si renda necessario andare oltre il gigabit al secondo di cui sono capaci alcuni dispositivi PCIe.

Condividi:   

Commenti

Aggiungi un tuo commento
1/2 avanti    
real.massimo 27/09/2011 15:29
 
+13 
Sicuramente sono risultati ben accetti!
Purtroppo l'applicazione non sarà immediata, è vero..Ma perlomeno dimostrano che LA RICERCA serve..
Fall4 27/09/2011 15:41
 
+5 
Il governo italiano sa che la ricerca serve per questo il Berlusca dice ai giovani laureati che se non trovano lavoro in italia posso andare all' estero come ricercatori!

Sarebbe un grande passo avanti l' utilizzo di questa scoperta.
gigiux 27/09/2011 15:48
 
+20 
L'italia ha comunque partecipato alla costruzione del tunnel con purdue
elleh 27/09/2011 16:15
 
+9 

 Originariamente inviata da gigiux

L'italia ha comunque partecipato alla costruzione del tunnel con purdue



e a speso (rigorosamente senza acca) 45 milioni di milioni
Il_Saggio 27/09/2011 16:23
 
+10 
Già, per un bel tunnel dal CERN fino al laboratorio del Gran Sasso! (cit. Gelmini)
Che super ricerca di cui vantarsi, eh?

P.S: non solo non sa nemmeno cosa è stato fatto, non sa che non esiste il tunnel né si è posta il problema del 700 e rotti KM di scavo, ma pure si vanta che l'avremmo fatto con 45 milioni di euro!!!
Sìsì, signori, sperate pure di trovare un posto come ricercatore qui in questo paese... sopratutto finché vi saranno personaggi come la signora qui citata.
Intanto vorrei sapere i 45 milioni dove sono andati a finire per davvero.
ciaccaerre 27/09/2011 16:34
 
+6 

 Originariamente inviata da Il_Saggio

Già, per un bel tunnel dal CERN fino al laboratorio del Gran Sasso! (cit. Gelmini)
Che super ricerca di cui vantarsi, eh?

P.S: non solo non sa nemmeno cosa è stato fatto, non sa che non esiste il tunnel né si è posta il problema del 700 e rotti KM di scavo, ma pure si vanta che l'avremmo fatto con 45 milioni di euro!!!
Sìsì, signori, sperate pure di trovare un posto come ricercatore qui in questo paese... sopratutto finché vi saranno personaggi come la signora qui citata.
Intanto vorrei sapere i 45 milioni dove sono andati a finire per davvero.



nel "tunnel" della gelmini
Nicholas 27/09/2011 16:35
 
-2 

 Originariamente inviata da Il_Saggio

Intanto vorrei sapere i 45 milioni dove sono andati a finire per davvero.


Sono serviti a costruire un tunnel tra Arcore e Ginevra (da qui la confusione), non si sa mai...
ALT-F4 27/09/2011 16:45
 
Ok l'ironia, si ride, d'accordo.
Ma SETTE commenti DI FILA che non c'entrano niente con l'articolo... Bah... Sulla stessa battuta, tra l'altro...

Per la notizia: non sono ancora ben sviluppati gli ssd che già cercano di fare qualcos'altro... Abbassino i prezzi e aumentino capacità e affidabilità piuttosto
nick39 27/09/2011 17:03
 
+2 
Questa è fantascienza!
Memoria non volatile
Più veloce della sram
Bassi consumi
Poco calore sviluppato
La vogliooo
cput800 27/09/2011 18:40
 

 Originariamente inviata da nick39

Questa è fantascienza!
Memoria non volatile
Più veloce della sram
Bassi consumi
Poco calore sviluppato
La vogliooo



Questa si chiama ricerca è sviluppo di cose concrete
1/2 avanti    
Accedi o  registrati.
Nome utente:
Password:
Segnala TomsHW

Correlazioni

  Categoria: Nuove Tecnologie