Si accende la battaglia nel settore della produzione di NAND flash. Dopo l'annuncio di Intel e Micron riguardante la produzione di memorie a 25 nanometri, Hynix e Samsung hanno svelato le loro mosse.
Hynix Semiconductor ha iniziato a usare il processo produttivo a 26 nanometri su dispositivi con capacità di 64 Gbit. La produzione in volumi inizierà nel terzo trimestre. Samsung, dal canto suo, avvierà la produzione in volumi a 27 nanometri nel secondo trimestre.
"Il nuovo chip ci permetterà di raddoppiare la produttività rispetto ai prodotti a 30 nanometri riducendo drasticamente i costi", ha affermato Hynix.
Per il consumatore ci sono molteplici vantaggi. Le unità Solid State Drive faranno un balzo in avanti per quanto riguarda il rapporto capacità / prezzo, mentre i consumi potrebbero raggiungere livelli davvero ridotti.

Commenti dei lettori (22)
e cosa ci sarebbe di "drammatico"? xD
forse intendevano DRASTICAMENTE..
ban
Solo che insistono a riportarlo come DRAMMATICAMENTE....ora dimmi cosa c'e' di drammatico...!
scaf..hemm..mi e' scappato!
Forse volevi dire BaH ??...........
Cmq resto sempre curioso di vedere che fine faranno gli Slc.
Bau
è la traaduzione di dramatic...
...commentando la notizia, speriamo che gli ssd da 256 gb arrivino presto a un prezzo accettabile!
Il mio era sarcasmo.
Se leggi i commenti di altri utenti capisci
Intel e Micron producono a 25 nanometri, Hynix a 26 e Samsung a 27?
Sono tre processi produttivi diversi o solo delle leggere varianti?
Ciao