Samsung, DDR3 a 40nm per moduli fino a 8 GB

Samsung ha avviato la produzione in volumi di chip di memoria DDR3 da 4Gb con il processo produttivo a 40 nanometri. Capaci di supportare una tensione di 1,5 o 1,35 volt, queste memorie possono raggiungere i 1600 MHz ed essere usate in moduli SODIMM da 8GB e RDIMM da 16 e 32 gigabyte.

Samsung prevede di migrare il 90 percento della produzione di chip alla nuova tecnologia produttiva. Secondo l'azienda un modulo di memoria DDR2 da 1 Gb prodotto a 60nm consuma 210 watt, mentre un modulo DDR3 da 2 Gb (40nm) circa 55 watt, con un risparmio energetico del 75 percento.

Il nuovo processo permette di realizzare moduli DDR3 con densità di 4Gb e un consumo di 36 watt. In pochi anni, dalle DDR2 a 60nm a oggi, non è aumentata solamente la densità delle memorie, ma si sono ridotti i consumi dell'83 percento.