Samsung ha realizzato nuovi chip mobile per tablet e smartphone capaci di garantire un bandwidth otto volte maggiore rispetto alle DRAM mobile attuali. L'azienda sud coreana ha annunciato la produzione - con processo produttivo a 50 nanometri - di una DRAM da 1 Gb capace di trasmettere dati a 12,8 GB/s. Il risultato è superiore di ben quattro volte rispetto alle DRAM LPDDR2 (3,2 GB/s).
Per raggiungere questo traguardo Samsung ha usato 512 pin per dati input e output, mentre per le precedenti generazioni aveva usato 32 pin. Includendo anche i pin coinvolti nell'invio di comandi e nella gestione dell'alimentazione, una singola DRAM è progettata per ospitare 1200 pin.
Oltre alle capacità di I/O superiori, i nuovi chip consumano anche l'87 percento in meno rispetto alle DRAM attuali grazie al processo produttivo inferiore. L'azienda ha già fatto sapere che non intende fermarsi. Samsung intende realizzare chip con bandwidth elevato da 4 Gigabit e processo produttivo a 20 nanometri nel corso del 2013.
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Originariamente inviata da ninoo
Si ci metterei anche un 16core e 2 TB di disco fisso , non si mai ..... mi scordavo non dite a nessuno che la batteria dura solo 2 minuti , ma sapete con tutta questa potenza in due minuti ci fai tutto !!!! ah ah ah
Originariamente inviata da ninoo
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