Samsung Electronics ha annunciato di aver prodotto la prima DRAM DDR3 a 30 nanometri, con densità di 2 gigabit. L'uso del nuovo processo produttivo dovrebbe aumentare la produzione del 60% rispetto ai 40 nanometri, raddoppiando l'efficienza sui costi rispetto al processo produttivo a 50/60 nanometri.
Le nuove DRAM DDR3 a 30 nanometri di Samsung ridurranno i consumi fino al 30% rispetto ai 50 nanometri. La produzione in volumi dei chip dovrebbe prendere il via nella seconda metà di quest'anno.
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sarebbe più interessante un aumento delle prestazioni. Soprattutto la latenza. Il nuovo processo produttivo porterà benefici in tal senso? ne dubito... al massimo si salirà di clock un altro po', mantenendo intatte le latenze.
Originariamente inviata da Kuarl
sarebbe più interessante un aumento delle prestazioni. Soprattutto la latenza. Il nuovo processo produttivo porterà benefici in tal senso? ne dubito... al massimo si salirà di clock un altro po', mantenendo intatte le latenze.
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