SSD ancora più veloci e parsimoniosi, grazie a Tokyo

I solid state drive (SSD) di futura generazione potrebbero ridurre i consumi dell'86% e raggiungere una velocità di scrittura dati pari a 9,5 GB/s. Un gruppo di ricercatori della University of Tokyo è riuscito infatti a sviluppare un nuovo tipo di NAND flash basato su una soluzione "ferroelettrica" diversa dal solito. Si parla infatti una tensione pari a 6V, contro i comuni 20V di mercato.

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Questo approccio permette di ridurre notevolmente i consumi ma anche di posizionare i chip NAND in parallelo incrementandone il numero e quindi le prestazioni. Da sottolineare inoltre che il nuovo metodo "Single-cell Self-boost" riduce il problema degli errori di scrittura a basso voltaggio spegnendo celle specifiche.

Chip NAND Fe consumi - clicca per ingrandire

Per quanto riguarda la disponibilità dei nuovi chip NAND è difficile fare delle previsioni. La presentazione ufficiale è avvenuta lo scorso weekend durante l'IEEE International Memory Workshop. Le aziende avranno già iniziato a richiedere i primi campioni.