Toshiba ha iniziato la produzione in volumi di memoria NAND flash a 24 nanometri. L'azienda realizzerà chip da 64 gigabit (2 bit per cella), con capacità di 8 gigabyte. Prossimamente Toshiba intende produrre, sempre a 24 nanometri, chip di memoria da 32 gigabit (3 bit per cella). I chip integrano la tecnologia Toggle DDR che migliora la velocità di trasferimento dati.
L'avanzamento produttivo introdotto della casa giapponese dovrebbe essere un toccasana per diversi settori in cui la memoria NAND Flash è protagonista (smartphone, videocamere digitali, tablet PC). Ricordiamo che Intel sta lavorando su memorie flash (3 bit per cella, 64 Gb) a 25 nanometri (Intel, pronti i chip di memoria 3bpc e 25nm da 8 GB), mentre Samsung ha recentemente presentato dei chip NAND di tipo MLC da 32 gigabit realizzati con processo produttivo a 20 nanometri (Samsung, ecco le schede SD con chip a 20nm).
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scusate ma già esistono memory card e chiavette da 8, 16,32, 64 Gigabyte.. questi chip arrivano a 8 Gigabyte dove sta l'innovazione???? certo sono a 25 nm ma cosa cambia rispetto a quelli già presenti in commercio??
Originariamente inviata da Zod
cambia che costa meno produrli e puoi metterci molti più gb nello stesso posto, oltre alle migliorie tecniche tipo riscaldamento,prestazioni e simili,argomenti in cui non mi cimento molto perchè non vorrei sparare cazzate
ad esempio se Apple volesse (ma tanto non lo farà, non a questo giro ma presumo alla prossima generazione) potebbe già mettere 128 gb di memoria flash nell'iPod Touch con 2 chip da 64gb
Originariamente inviata da Giuliano.Peraz
Ma 128 gb = 16 GB. L'innovazione è proprio nell'inserire più capienza nello stesso spazio dei chip riducendo la grandezza dei transistor..
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