Micron, produttore conosciuto per le proprie memorie DRAM, NAND, 3D XPoint e NOR, ha annunciato di essere entrata in fase di produzione di massa delle sue nuove memorie 3D NAND con tecnologia a 176 strati. I primi prodotti SSD Crucial che sfruttano i nuovi chip sono già in lavorazione e ne verranno annunciati di nuovi durante il corso del 2021.
Le nuove memorie 3D NAND a 176 strati di Micron rappresentano un enorme salto in avanti rispetto alla generazione di prodotti precedenti basati sulla tecnologia a 128 strati, con una latenza in scrittura e lettura ridotta del 25%. Rispetto ai chip di memoria a 96 strati, i più diffusi in questo momento sul mercato, l'incremento è del 35%. L'azienda afferma inoltre di offrire dei die dalla dimensione approssimativamente del 30% inferiore alla migliore soluzione della concorrenza, rendendo il prodotto ideale per i dispositivi dal form factor contenuto.
"La NAND a 176 strati di Micron stabilisce un nuovo standard per il settore, con un numero di strati che è quasi il 40% superiore a quello del nostro concorrente più vicino", ha dichiarato Scott DeBoer, vicepresidente esecutivo per la tecnologia e i prodotti di Micron. "Combinata con l'architettura CMOS-under-array di Micron, questa tecnologia promuove la leadership di Micron nel settore sotto il profilo dei costi”.
"Stiamo implementando questa tecnologia nel nostro ampio portafoglio di prodotti per portare valore ovunque venga utilizzata la NAND, mirando alle opportunità di crescita del 5G, dell’AI, del cloud e dell’intelligent edge" ha dichiarato Sumit Sadana, vicepresidente esecutivo e chief business officer di Micron.
La quinta generazione di NAND 3D di Micron, seconda generazione con architettura a porte sostitutive, è anche caratterizzata da una velocità massima di trasferimento dati di 1600MT/s sul bus Open NAND Flash Interface (ONFI), un miglioramento del 33%.
Micron ha raggiunto rapidamente progressi con la tecnica proprietaria CuA dell'azienda, la quale costituisce la pila multistrato al di sopra della logica del chip, impacchettando più memoria in uno spazio più stretto e restringendo sostanzialmente le dimensioni dei die NAND a 176 strati, ottenendo più gigabyte per wafer.
Non solo, l'azienda ha migliorato la scalabilità e le prestazioni per le generazioni future di NAND, passando la sua tecnologia vecchia floating gate a quella charge-trap. La tecnologia charge-trap è poi combinata con l'architettura a porte sostitutive di Micron, che utilizza fili metallici altamente conduttivi invece di uno strato di silicio per ottenere prestazioni 3D NAND di altissimo livello.
"L'adozione di questa tecnologia da parte di Micron consentirà inoltre all'azienda di ottenere riduzioni dei costi aggressive e leader del settore. Applicando queste tecniche avanzate, Micron ha aumentato la resistenza, il che è particolarmente vantaggioso nei casi di utilizzo di scrittura intensiva, dalle scatole nere del settore aerospaziale alla registrazione di videosorveglianza" ha affermato l'azienda nel comunicato inviato alla stampa.
La produzione di massa delle nuove memorie 3D NAND a 176 strati è già iniziata nello stabilimento Micron di Singapore e i chip sono pronti per la spedizione agli utenti finali ad esempio con l'integrazione nei prodotti SSD Crucial dell'azienda.
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