Al Flash Memory Summit di quest'anno Toshiba ha poi annunciato XFMEXPRESS, un nuovo Form Factor ultracompatto per SSD NVMe, inferiore anche all'attuale standard 2230.
Le dimensioni sono di 18 x 18 x 14 mm (poco più di una scheda microSD), che diventano di 22,2 x 17,75 x 2,2 mm quando il modulo è inserito nell'apposito socket. Per fare un paragone, gli SSD BGA con interfaccia PCIe x2 misurano 11,5 x 13 mm, mentre quelli con interfaccia PCIe x4 16 x 20 mm.
XFMEXPRESS è stato sviluppato per avere un dispositivo di archiviazione sostituibile in tutte quelle situazioni dove finora si è utilizzato un SSD BGA saldato, oppure una memoria EMMC o UFS.
Nonostante le dimensioni però il nuovo SSD di Toshiba non è pensato per essere utilizzato in slot come quelli delle MicroSD: anche se potrà essere sostituito senza bisogno di cacciaviti o altri attrezzi (grazie al meccanismo a scatto del socket), bisognerà comunque smontare il proprio dispositivo.
Le prestazioni saranno simili a quelle di un SSD BGA con interfaccia PCIe x4. In un form factor così piccolo la temperatura potrebbe essere il vero fattore limitante, ma Toshiba ha inserito una copertura in metallo sul socket che fa da dissipatore, in modo da disperdere al meglio il calore.
Toshiba ha poi lanciato XL-FLASH, una memoria flash presentata in occasione del Flash Memory Summit dello scorso anno, concepita come risposta alla Z-NAND di Samsung e, in misura minore, al 3D Xpoint di Intel.
A differenza di quanto avvenuto nel precedente summit, Toshiba sarebbe pronta a rilasciare maggiori informazioni sulla nuova memoria cominciando dalla data di immissione sul mercato. Secondo quanto dichiarato dalla casa, la produzione dei primi modelli dovrebbe iniziare a Settembre mentre per la produzione di massa si dovrà attendere l'anno prossimo.
Le prime parti XL-FLASH utilizzeranno una matrice da 128 Gb suddivisa in 16 piani, per supportare un grado di parallelismo marcatamente più elevato rispetto ai NAND 3D esistenti orientati a raggiungere capacità elevate. Le dimensioni della pagina saranno di 4 kB, significativamente più piccole di quelle utilizzate dalla maggior parte delle NAND 3D in commercio, dato che non sorprende se si considera che XL-FLASH memorizza un bit per cella anziché tre o quattro. Non sono note le dimensioni del blocco di cancellazione, ma ci si aspetta che anche queste siano ridotte rispetto ai blocchi utilizzati per le NAND ad alta capacità.
Per quanto riguarda le prestazioni, Toshiba afferma che la latenza di lettura sarà inferiore a 5 microsecondi, rispetto ai circa 50 microsecondi del 3D TLC.
Ciò che differenzia maggiormente XL-FLASH di Toshiba e Z-NAND di Samsung è il modello di business: Samsung sta riservando la tecnologia Z-NAND ad un uso esclusivo sui prodotti Z-SSD; XL-FLASH di Toshiba, al contrario, sarà acquistabile come gli altri modelli 3D TLC e QLC NAND.
Stando alle dichiarazioni di diversi produttori di SSD che intendono utilizzare XL-FLASH per le loro memorie si può affermare con certezza che la nuova tecnologia Toshiba sarà presente su vari modelli di SSD prodotti da marchi concorrenti.