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Test e recensioni
Notizie
Micron svela la memoria NAND TLC da 128Gb a 20 nanometri
pubblicato venerdì 15 febbraio 2013
Micron avvierà la produzione di massa di memoria NAND flash TLC a 20 nanometri nel secondo trimestre dell'anno. Il chip è da 128 Gbit e punta al mercato delle schede di memoria e quello delle chiavette USB. Non è comunque da escludere l'arrivo nel mondo degli SSD.
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Micron NVDIMM fa sposare memoria DRAM e NAND Flash
pubblicato venerdì 08 febbraio 2013
Micron ha parlato di NVDIMM, una nuova tecnologia di memoria in cui l'azienda mette insieme chip DRAM e NAND Flash. L'obiettivo è di avere sempre accesso a grandi dati, affidandosi alla DRAM come cache e alla NAND Flash per compiti di archiviazione, grazie alla sua capacità di mantenere i dati in assenza di energia. Nel frattempo Micron ha creato SODIMM a singolo lato.
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Le DDR3L-RS abbattono i consumi di ultrabook e tablet
pubblicato mercoledì 19 settembre 2012
Micron e SK Hynix hanno realizzato nuove memorie chiamate DDR3L-RS, pensate per ridurre notevolmente i consumi della RAM durante i periodi di standby. La produzione è già stata avviata e altri campioni, di capacità maggiore, saranno realizzati nei prossimi mesi. Sono indirizzate a tablet e ultrabook.
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La memoria PCM di Micron vuole pensionare la NAND Flash
pubblicato mercoledì 18 luglio 2012
Micron ha avviato la produzione in volumi di memoria PCM a 45 nanometri. Dedicata inizialmente ai feature phone, questo tipo di tecnologia potrebbe sostituire NAND Flash e magari anche RAM in futuro.
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Micron acquisisce Elpida e sfida Samsung sulle memorie
pubblicato martedì 03 luglio 2012
Con un'operazione da 2,5 miliardi di dollari la statunitense Micron ha acquisito la giapponese Elpida. Sotto il suo controllo anche Rexchip. Samsung e Hynix hanno a che fare con un nuovo colosso nella produzione di memorie.
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Ecco i chip Micron per memorie DDR3 che superano i 3 GHz
pubblicato giovedì 14 giugno 2012
Micron produrrà in volumi chip da 2 e 4 Gbit di DDR3 a 2133 MHz. Queste soluzioni alzano l'asticella velocistica del comparto DRAM e aprono la porta a moduli di memoria con frequenza di oltre 3 GHz.
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Il primo modulo DDR4 funzionante è pronto e lo fa Micron
pubblicato martedì 08 maggio 2012
Micron ha realizzato il primo modulo DDR4 completamente funzionante. L'azienda sta realizzato i sample per i partner e ha annunciato la produzione in volumi entro la fine dell'anno.
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Memorie DDR4, con il 3DS diventano alte come grattacieli
pubblicato martedì 20 dicembre 2011
Micron sta lavorando con la JEDEC per creare uno standard per una nuova interfaccia DRAM e una tecnologia chiamata three-dimensional stacking (3DS). Secondo indiscrezioni questa tecnologia potrebbe essere parte delle future memorie DDR4.
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NAND Flash da 128 Gb, capacità sui tablet senza confini
pubblicato martedì 06 dicembre 2011
Grazie al processo a 20 nanometri Intel e Micron hanno realizzato la prima prima NAND Flash tipo MLC da 128 gigabit. Con la stessa tecnologia le due aziende hanno già avviato la produzione in volumi della variante meno capiente da 64 Gbit. A godere saranno tablet, smartphone e SSD in arrivo nel corso dei prossimi mesi.
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La memoria HMC convince tutti, la RAM suda freddo
pubblicato lunedì 10 ottobre 2011
Micron e Samsung Electronics aprono l'HMCC, un consorzio per sviluppare la Hybrid Memory Cube. Vi partecipano anche Altera, Open Silicon e Xilinx. Questo tipo di memoria assicura prestazioni quindici volte superiori alle DDR3 e consumi bassissimi.
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Micron HMC, altro che DDR4: le RAM sono lumache
pubblicato venerdì 26 agosto 2011
Micron ha realizzato un prototipo di Hybrid Memory Cube e svelato alcuni dati prestazionali. Non c'è RAM che tenga, nemmeno le future DDR4. L'azienda parla al momento di 128 GBps contro i 12,8 delle DDR3-1600.
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Chip NAND a 20 nanometri, 128 GB in un francobollo
pubblicato venerdì 15 aprile 2011
SSD, tablet e smartphone godranno dei nuovi chip NAND Flash di IMFT, realizzati con processo produttivo a 20 nanometri. La miniaturizzazione consentirà di aumentare la capacità e risparmiare spazio.
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