Samsung ha in mano il mercato globale NAND flash - secondo Isuppli con una quota del 46.2% nel secondo trimestre dell'anno - e intende mantenerlo sviluppando costantemente la tecnologia produttiva e architetturale. Le attuali memorie flash hanno una capacità di 16 GB, ma Samsung crede che in futuro si arriverà a toccare i 100 GB di spazio.
L'azienda ha annunciato oggi il primo chip da 32 Gbit a 40 nm, che permetterà ai produttori di schede di memoria di assemblare SD o Compact Flash da 64 GB - le quali possono immagazzinare 64 ore di film in qualità DVD o oltre 15.000 file MP3.
Le memorie flash saranno presto disponibili nella fascia mainstream in soluzioni solid state disk, con flash drive da 4 GB.
La chiave del boost per quanto riguarda l'archiviazione è rintracciabile in quella che Samsung chiama "charge trap technology." Rispetto alle NAND flash attuali - introdotte da Toshiba nel 1989 - viene utilizzato un metallo con struttura a singolo gate che è significativamente più piccolo rispetto al consueto poly-silicon dual-gate. Samsung afferma che questa tecnologia permetterà la produzione di chip da 256 Gb a 20 nm.
Samsung sviluppa anche memorie NOR ed già proiettata oltre, affermando che le memorie Phase-change Random Access Memory (PRAM) rimpiazzeranno le NOR entro una decade.
La tecnologia PRAM permetterà memorie 30 volte più veloci rispetto alle NOR e offrirà cicli di lettura/scrittura dieci volte più elevati. Samsung afferma che le PRAM offriranno una scalabilità virtualmente illimitata. Il primo dispositivo basato su questa tecnologia sarà disponibile in chip da 512 Mb a partire dal 2008.