Un MOSFET high-K metal-gate con un gate lungo 22 nanometri. È questo il traguardo raggiunto dall'IMECAS (Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) di Pechino, che ha così realizzato un transistor a 22 nanometri, al pari di tante aziende occidentali - tra cui Intel.
Secondo quanto riportato dell'agenzia governativa Xinhua, probabilmente non la migliore fonte ma anche l'unica disponibile, il transistor progettato e realizzato in casa mostra "prestazioni di classe mondiale e una dissipazione energetica contenuta".
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L'introduzione dei 22 nanometri dovrebbe consentire al grande stato asiatico di risparmiare sull'importazione di chip o tecnologie dall'estero e aumentare la propria competitività nella produzione di chip, diventando magari in futuro un punto di riferimento mondiale.
Bisogna specificare tuttavia che l'aver realizzato un transistor a 22 nanometri non porta la Cina al pari dell'Occidente, ma possiamo dire che il gap si sta riducendo rapidamente e ora siamo dai due ai quattro anni "tecnologici" di distanza.
D'altronde questo è solo il primo passo per la creazione di un circuito integrato funzionante, cosa ben più complicata. La fonderia cinese Semiconductor Manufacturing International Corporation, situata a Shanghai, è oggi in grado di produrre con il processo a 40 nm CMOS.