Toshiba: Flash NAND SLC a 43 nanometri

Toshiba segna un nuovo traguardo con la produzione di memoria flash a 43 nanometri. Gli hard disk tradizionali navigano in acque sempre più agitate.

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a cura di Manolo De Agostini

Toshiba ha annunciato la disponibilità di una nuova linea di prodotti di memoria flash NAND SLC a 43 nanometri, disponibili in densità da 512 Mb a 64 Gb, per un totale di 16 versioni. I prodotti basati su questi chip arriveranno nel primo trimestre 2009.

La maggior parte delle memorie flash è realizzata 50 nm, in attesa dei chip a 30 nm di Samsung. La memoria Single Level Cell è più costosa, ma anche più rapida della MLC (Multi Level Cell) usata nella maggior parte degli SSD integrati nei portatili. Toshiba non ha precisato quali prestazioni sono in grado di raggiungere questi dispositivi, perché dipendono dai dispositivi di controllo utilizzati. Tuttavia, si sa che il tempo d'accesso è di 40 microsecondi.

Un hard disk ad alte prestazioni, come il Western Digital Raptor, raggiunge solamente un tempo di accesso leggermente inferiore a 5 millisecondi.