Intel ha introdotto sul mercato la famiglia di processori Intel Atom S1200. Si tratta, afferma la società, dei primi SoC (System-on-Chip) a basso consumo per server a 64 bit sviluppati per realizzare microserver ad alta densità e adatti per le nuove classi di sistemi di storage e networking che devono caratterizzarsi per una elevata efficienza energetica.
Comprende anche funzionalità atte a migliorare l'affidabilità, la gestibilità e a ridurre i costi per la classe server. I server ad alta densità che adottano processori a basso consumo permettono di rispondere meglio alla sfida posta ai manager dalla crescita dei cloud pubblici e, osserva Intel, aumentano anche le possibilità di trasformazione delle aziende che offrono servizi di hosting dedicato, distribuzione di contenuti o server Web front-end.
Atom S1200
La famiglia di processori SoC Atom S1200 include due core fisici e un totale di quattro thread abilitati per la tecnologia Intel Hyper-Threading. Il SoC comprende un supporto a 64 bit, un controller di memoria che supporta fino a 8 GB di memoria DDR3, tecnologie di virtualizzazione, otto linee PCI Express 2.0, il supporto Error Correcting Code (ECC) e altre interfacce di I/O integrate nei chipset.
La nuova famiglia sarà costituita da tre processori, con frequenze varianti da 1,6 GHz a 2 GHz. Va anche osservato che per facilitare migrazione e porting di applicazioni la nuova famiglia è compatibile con il software x86 comunemente utilizzato negli attuali data center.
La disponibilità di server è attesa a breve. Al momento sono già oltre 20 i progetti a basso consumo che utilizzano Intel Atom S1200, tra cui microserver e sistemi di storage e networking di aziende come Dell, HP, Huawei, Microsan e Qsan.
La strada intrapresa da Intel prevede già una roadmap ben precisa. Una nuova ulteriore generazione a bassa consumo di processori Atom caratterizzata da una efficienza energetica ancora maggiore, dal nome in codice "Avoton", sarà resa disponibili nel 2013 ed estenderà ulteriormente le funzionalità SoC. I processori saranno basati sui transistor tri-gate 3D a 22 nm.