In Cina hanno creato la memoria perfetta per 007

Scienziati cinesi della Fudan University affermano di aver creato un nuovo tipo di memoria basata su semiconduttori bidimensionali, capace non solo di alte velocità di scrittura, ma anche di garantire una "non volatilità temporanea" dei dati, ovvero può conservarli per un periodo di tempo definito.

La ricerca, pubblicata su Nature Nanotechnology, è illustrata dal campo del team di ricerca Zhang Wei. "Finora esistevano due memorie nel campo dell'archiviazione basata su semiconduttori. Una è volatile, come i banchi di memoria nei nostri computer. Questa memoria ha un'alta velocità di scrittura dei dati, ma il dato archiviato si perde quando il computer viene spento".

"L'altra è l'archiviazione non volatile come le unità flash, dove il dato archiviato all'interno può perdurare fino a 10 anni, ma la sua velocità di scrittura dati e ritenzione è scarsa", ha spiegato Zhan, direttore esecutivo della School of Microelectronics della Fudan University.

La nuova soluzione proposta è sia non volatile che veloce, all'incirca 10.000 volte (così riporta China Daily, ndr) più veloce della memoria NAND flash attuale secondo i ricercatori. Inoltre la nuova tecnologia permette di fissare l'intervallo di tempo di conservazione dell'informazione in un arco da 10 secondi a 10 anni. "Le persone in futuro potrebbero ricevere un'unità nel quale il dato è efficace per, diciamo, tre giorni, il che aumenta la sicurezza dell'informazione", ha aggiunto Zhang.

"Le persone possono inoltre avere unità flash fatte su misura con la nuova tecnologia di archiviazione, in cui il dato archiviato all'interno sarà regolarmente cancellato in un momento stabilito". Dall'abstract dello studio su Nature Nanotechnology scopriamo che lo studio parla di una memoria "quasi non volatile" con un'architettura formata da transistor semi-floating gate con eterostrutture di van der Waals ingegnerizzate.

"Queste memorie dimostrano un tempo di refresh 156 volte più lungo rispetto alle DRAM e operazioni di scrittura ultraveloci nella scala dei nanosecondi. L'architettura semi-floating gate migliora enormemente le prestazioni di scrittura ed è circa 10 alla sesta volte più veloce di altre memorie basate su materiali bidimensionali. Le caratteristiche dimostrate suggeriscono che la memoria quasi non volatile ha il potenziale di colmare il divario tra le tecnologie di memoria volatile e non volatile e ridurre il consumo energetico richiesto per le frequenti operazioni di aggiornamento, consentendo una memoria ad accesso casuale ad alta velocità e basso consumo".

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