Recensione Samsung 750 EVO - by Liupen
Il Samsung 750 EVO rappresenta la linea di prodotti SSD Samsung più economica del mercato, ma a differenza dei Samsung 850 EVO, usciti per i consumatori entry level - cioè dedicata a chi si avvicina al mondo degli SSD e, soprattutto a chi ha una macchina datata e non ci vorrebbe spendere su più di tanto per ottenere in cambio un po più di ..grinta – il 750 EVO nasce per i costruttori/assemblatori di sistemi e per il mercato OEM.
Se quindi per ambizione di Samsung, il prezzo concorrenziale è il lato più favorevole di questo modello, tanto vale confrontarlo subito con gli altri prodotti Samsung e con prodotti di pari livello tecnico.
Nel momento in cui scrivo AMAZON vende a questi prezzi:
Samsung 750 EVO da 120GB a € 69,81
Samsung 750 EVO da 250GB a € 94,10
Samsung 850 EVO da 120GB a € 86,50
Samsung 850 EVO da 250GB a € 137,00
Samsung 850 PRO da 128GB a € 120,00
Samsung 850 PRO da 256GB a € 186,00
Mi sembra ottimo come delta del prezzo, forse il costo del modello 750 EVO da 120GB “dovrebbe”, per rispecchiare la fascia del prodotto, attestarsi ad un prezzo inferiore del 10-20% rispetto a quello attuale. Insomma, sembrerebbe che prendere un taglio da 120GB a questo prezzo NON è conveniente.
Vediamolo in rapporto ai principali competitor:
Samsung 750 EVO da 120GB a € 69,81
Samsung 750 EVO da 250GB a € 94,10
Sandisk Ultra II da 120GB a € 61,89
Sandisk Ultra II da 240GB a € 151,99
Crucial BX 200 da 240GB a € 86,00
OCZ Trion 150 da 120GB a € 46,51
OCZ Trion 150 da 240GB a € 65,77
Anche se la variazione di prezzo tra un prodotto è l’altro è relativa (ma 20 euro su 100 mi sembrano significativi), il paragone ci dice un paio di cose: che il Sandisk Ultra II da 240Gb ed il Samsung 750 EVO da 120Gb sono venduti un po cari… e che OCZ e Crucial sono più competitivi…. SCONTI a parte (naturalmente)!
Passando alla descrizione tecnica del Samsung 750 EVO, si parte innanzitutto dicendo che il prodotto si basa su celle made in China, la stessa che ha prodotto le diffusissime e “discussissime” celle del 840 EVO.
Ricordate il bug degli 840 lisci ed EVO? (bug che riguardava tutte le tipologie di celle planari TLC)
Tranquilli è stato risolto… le celle ora perdono la memoria ;) ma… il controller è capace di prevenire problemi con un sistema di verifica ECC (LDPC) più rigido e con una frequenza ciclica maggiore. Il Garbage Collection (la riscrittura delle celle) avviene in maniera aggressiva onde prevenire questi problemi.
Naturalmente tutto questo ha un costo… maggiori scritture e maggior uso del controller, quindi di energia.
Ma ritorniamo alle celle; Samsung come tutti, raffina la tecnologia e passa dalla litografia a 19nm a quella a 16nm (come Micron o Sandisk, OCZ-Toshiba o Intel).
Ricordo che la “piccolezza” delle celle è proporzionale alla sua durata ed inversamente proporzionale a possibili problemi di latenza elettronica (elettroni che si liberano ed interferiscono sulla lettura della cella).
Se a questo si aggiunge il fatto che le celle sono TLC (3 bit per cella), questo completa il quadro di un SSD potenzialmente “rischioso” dal punto di vista della conservazione dei dati, ed oggettivamente con un ciclo di vita più basso rispetto a simili prodotti entry level.
Per confrontare, il 120GB 750 EVO è valutato per 35 terabyte di scrittura. Per la stessa capacità (120GB) l’850 EVO sfoggia una specifica 75 TBW. Il divario aumenta quando si passa al 250GB (70 TBW rispetto a 150 TBW).
Il controller del Samsung 750 EVO rappresenta comunque una evoluzione tecnica considerevole. Di base come per il modello Samsung 850 EVO (escluso taglio da 1TB) è l’ARM R4 (a 2 core da 400MHz di clock).
Come una cella 16nm costa meno di una cella 19nm, un controller MGX con DRAM integrata, riduce i costi di produzione.
Pur non rientrando nei cosiddetti DRAM-less (SSD il cui controller economico, utilizza le stesse celle NAND Flash anche come memoria volatile, senza la presenza di un modulo DRAM), il nuovo controller MGX lo integra con 256MB di memoria DDR3. Ricordo che Samsung ha mantenuto a lungo l’utilizzo della memoria DDR2.
Il controller ha la completa predisposizione alla crittografia e supporta la funzione Rapid Mode; tuttavia, come si vedrà, il Turbo Write risente della piccola quantità di celle dedicate all’emulazione SLC… insomma sul 750 EVO le performance date dai benchmark non rifletteranno veramente l’aumento di prestazioni fornito dalla Rapid Mode.
Nell’immagine vediamo a sinistra il controller MGX con DRAM integrata e a destra un pacchetto NAND Flash (sono 2, uno per parte sul pcb, nel modello da 250GB).
Abbiamo visto la tipologia di celle e il tipo di controller, ora pongo l’attenzione sulla loro sinergia.
A differenza della precedente generazione di controller, l’MGX rompe gli schemi e offre velocità di scrittura più sostenuta rispetto alle altre unità TLC-based (vedi OCZ-Toshiba e Micron-Crucial). Il suo quad-plane TLC Flash può infatti gestire il doppio dei flussi di dati degli altri controller, cioè ogni pacchetto NAND comunica con 4 die e non 2 sole, aumentando il parallelismo, dunque le prestazioni.
In parte questo spiega il motivo della superiorità del modello Samsung 850 EVO rispetto agli altri SSD TLC. In questo momento solo il Plextor M6V è dotato di un controller (Silicon Motion SM2246EN) che utilizza lo stesso performante parallelismo, ma in combinazione con celle MLC.
Ma, oltre alle caratteristiche tecniche, due elementi concorrono nel complesso, a farsi un’idea della bontà di un SSD: le performance e i consumi.
Performance sequenziali
I tecnici di Tom’s Hardware hanno provato innanzitutto le velocità sequenziali pure.
Viene scritto che il modello stupisce perché ottiene valori di lettura sequenziale maggiore rispetto al modello 850 EVO di pari capienza; il modello da 250GB tocca picchi di 540MB/s e, cosa più importante, in modo stabile.
Per la scrittura sequenziale le cose vanno diversamente. Il picco di velocità misura 520MB/s che l’SSD riesce a mantenere…. per qualche (decimi di) secondo, vista il ridottissimo buffer SLC (emulata); segue una velocità che nel taglio da 250GB raggiunge i 200-220MB/s mentre in quello da 120GB, non supera i 140-160MB/s.
Un risultato comunque prevedibile; la velocità di scrittura nativa dei TLC non diventerà un problema fino a quando non sarà necessario inviare un sacco di dati in una sola volta. Un installazione software oppure un trasferimento di album fotografici di grandi dimensioni, sono due esempi comuni di cui si sentirebbe nettamente questo calo di prestazioni.
Performance casuali
Il buffer SLC emulato lavora per mantenere elevate le prestazioni casuali. Anche se l'SSD 750 EVO dovrebbe essere un disco a basso costo, offre risultati di lettura casuale ammirevoli, il che è importante perché la maggior parte delle transazioni di dati assumono la forma di piccoli blocchi di lettura/scrittura.
I nuovi drive offrono anche picchi di 10.000 IOPS in lettura casuale.
Il 750 EVO e gli altri SSD entry level sono separati dalle prestazioni di scrittura casuale. Quando si testa l’SSD con piccole scritture casuali, la differenza tra gli SSD TLC planari e quelli che adottano celle MLC, si fa più marcata, specie con l’aumentare della coda dei blocchi da 4K.
Si evidenza comunque una maggiore reattività nelle scritture casuali del 750 EVO, rispetto agli SSD TLC planari dei principali competitor.
Carichi misti
I tecnici di Tom’s Hardware hanno messo a punto un test che consente di simulare una situazione reale.
128K Sequential 80% Read – che succede se la lettura sequenziale è fatta da 32 blocchi sequenziali che devono venire letti… prima 2 poi 4 poi 8..ecc. ?
In questo caso è come se avessimo una lettura si sequenziale, ma che, dando origine alla cosiddetta Queue Depth (QD) o profondità della coda, mette in gioco fattori quali la capacità fisica del controller di svolgere più letture in parallelo o la sua capacità gestionale derivante dagli appositi algoritmi di programmazione:
Il test delude fortemente i tecnici THW che si aspettavano comunque valori accettabili, visto l’ottima tenuta nei test sequenziali… purtroppo i limiti del controller e ancor più delle celle TLC planari è disarmante.
Prestazioni nello stato stazionario
Vi siete eh chiesti, quando l’avete letto nelle recensioni di THW, cosa voleva dire?! Bene, ora lo capirete.
Immaginate di avere un SSD Samsung 750 EVO nelle mani per testarlo (come non ho io ;) ); potete inserirlo in un pc desktop e procedere a testarlo così com’è, vuoto, ottenendo le massime prestazioni. Succede così nella realtà? Naturalmente no.
Allora ci installiamo su un sistema operativo e ci facciamo girare i software di test; bei risultati, non c’è male, ma funziona così nella realtà? Ancora no.
Per avvicinarsi ad una condizione simile al reale, bisogna simulare un riempimento di dati (ca 80%) e su questo iniziare a fare dei cicli di scritture (vada per 1 ora consecutiva). Qualsiasi area di ricambio si esaurirà durante la prova e alla fine di un certo lasso di tempo anche la più grande unità con più overprovisioning avrà raggiunto uno stato definito “stazionario”. Usando gli ultimi 400 secondi del test, si misurano velocità di lettura sequenziale e scrittura casuale, e si potrà vedere dal vero il “rendimento standard” in IOPS (operazioni I/O al secondo) del SSD.
Perché? Perchè avremo messo in moto le cancellazioni, le programmazioni, il parallelismo, le capacità del controller, la qualità delle NAND, il TRIM, Garbage Collection, Wear Leveling, stress termico ..insomma tutta la giostrina dentro l’SSD.
Ma passando al risultato, THW ci dice che nella lettura sequenziale, i 750 EVO fanno bene contro i concorrenti TLC-based, ma sono inferiori a tutti gli SSD dotati di NAND Flash MLC.
I risultati in scrittura casuale stupiscono nella consistenza e nelle prestazioni; queste ultime molto regolari e simili a quelle del 850 EVO. Alla pari degli OCZ Trion 150, fanno peggio i Crucial BX200, gli OCZ Trion 100 e i Sandisk Ultra II :
Con “consistenza” (se anche questa cosa avete visto e vi chiedevate cosa fosse.. ebbene) si intende la misurazione della variazione della capacita I/O dell’SSD in condizioni di stato stazionario. Cioè, prendo l’SSD e, come detto, faccio girare l’intera giostrina… quindi misuro gli IOPS come prima, ad intervallo di tempo predefinito; quindi prendo come riferimento la media di questi valori e trovo la massima deviazione… un po come dire la costanza della prestazione di scrittura casuale 4KB.
In questo caso, ancor più sorprendentemente, il 750 EVO è quasi alla pari del modello 850 EVO e si pone in coda al migliore SSD sulla piazza …il Samsung 850 PRO.
Il grafico ci dice che la stabilità delle prestazioni sotto carico viene mantenuta molto meglio da 750 EVO che non dai relativi competitor (tra cui il Sandisk Ultra II è preferibile al OCZ Trion 150) e che è vergognoso il comportamento del Crucial BX200.
Nel caso di SSD con celle TLC planari, anche l’utilizzo di un buon overprovisioning. non influisce sulla stabilità delle prestazioni.
Passando infine ai consumi
Entrambe le unità 750 EVO si comportano incredibilmente bene nella classica prova di durata della batteria del notebook con carichi simulati. Utilizzando lo stesso controller del modello 850 EVO, consuma meno di quest’ultimo, pur dissipando meno energia le celle 3D V-NAND. Il motivo di tanto risparmio non può quindi che essere attribuibile alla DRAM integrata del controller, più piccola e parsimoniosa.
Ma… si, c’è un ma; se la prova di durata della batteria viene fatta lasciando che l’SSD inserisca il regime di basso consumo (stato idle), le cose cambiano nettamente; l’uso aggressivo del GC, a fronte di soli 2-core, ma anche del LDPC (parity-check a bassa densità), richiede un consumo assolutamente maggiore.
Fonte: Tom's Hardware - Anandtech
- - - Updated - - -
Conclusioni
Ci ho pensato un po su per formulare delle conclusioni che potessero essere obbiettive.
Da possessore anche di SSD di tipo TLC devo ammettere che non mi sono trovato affatto male, e la diffidenza nel consigliarlo deriva dai problemi che sono venuti fuori con il famoso bug di Samsung... no, non quello del firmware del 850 PRO.. quell'altro del 840/840 EVO! :P
scusate ragazzi di Samsung SSD, ma la mia ironia, per ciò che poi dirò, ve la meritate.
Il Samsung 750 EVO stupisce assolutamente per le prestazioni. E' vero che, come tutti i TLC-based crolla se messo a dura prova, ma, punto 1, è il migliore tra gli SSD TLC planari sul mercato, punto 2, nell'uso "normale" nessuno tira l'SSD per andarne a vedere i limiti.
Vorrei vederlo sugli scaffali con prezzi più economici, questo si (anche se per me vale per tutti gli SSD "basici"), ma non è, tra questi, certo il più caro.
Il discorso durata è tutto ed il contrario di tutto. Mi spiego...
Se ho un pc sataII e lo voglio svecchiare, prendo un SSD economico e dico pure "chi se ne frega se dovesse durarmi meno di 5 anni..."
Se poi è un notebook, e già la batteria non mi tiene più la mezz'ora di carica... taaac... un bel Samsung 750 EVO sarebbe ok.
Se devo assemblare un pc per un teenager, che gioca e fa i compiti; ci metto un ssd, ma lo prendo piccolo, economico e mica duraturo... tanto lo so che tra due anni me lo smonta per metterci altro... quindi tac ... 750 EVO.
Quindi,c'è posto sul mercato anche per il Samsung 750 EVO... miglior SSD TLC-based.
Mi raccomando per ogni attività scegliete l'SSD giusto!
Il Samsung 750 EVO rappresenta la linea di prodotti SSD Samsung più economica del mercato, ma a differenza dei Samsung 850 EVO, usciti per i consumatori entry level - cioè dedicata a chi si avvicina al mondo degli SSD e, soprattutto a chi ha una macchina datata e non ci vorrebbe spendere su più di tanto per ottenere in cambio un po più di ..grinta – il 750 EVO nasce per i costruttori/assemblatori di sistemi e per il mercato OEM.
Se quindi per ambizione di Samsung, il prezzo concorrenziale è il lato più favorevole di questo modello, tanto vale confrontarlo subito con gli altri prodotti Samsung e con prodotti di pari livello tecnico.
Nel momento in cui scrivo AMAZON vende a questi prezzi:
Samsung 750 EVO da 120GB a € 69,81
Samsung 750 EVO da 250GB a € 94,10
Samsung 850 EVO da 120GB a € 86,50
Samsung 850 EVO da 250GB a € 137,00
Samsung 850 PRO da 128GB a € 120,00
Samsung 850 PRO da 256GB a € 186,00
Mi sembra ottimo come delta del prezzo, forse il costo del modello 750 EVO da 120GB “dovrebbe”, per rispecchiare la fascia del prodotto, attestarsi ad un prezzo inferiore del 10-20% rispetto a quello attuale. Insomma, sembrerebbe che prendere un taglio da 120GB a questo prezzo NON è conveniente.
Vediamolo in rapporto ai principali competitor:
Samsung 750 EVO da 120GB a € 69,81
Samsung 750 EVO da 250GB a € 94,10
Sandisk Ultra II da 120GB a € 61,89
Sandisk Ultra II da 240GB a € 151,99
Crucial BX 200 da 240GB a € 86,00
OCZ Trion 150 da 120GB a € 46,51
OCZ Trion 150 da 240GB a € 65,77
Anche se la variazione di prezzo tra un prodotto è l’altro è relativa (ma 20 euro su 100 mi sembrano significativi), il paragone ci dice un paio di cose: che il Sandisk Ultra II da 240Gb ed il Samsung 750 EVO da 120Gb sono venduti un po cari… e che OCZ e Crucial sono più competitivi…. SCONTI a parte (naturalmente)!
Passando alla descrizione tecnica del Samsung 750 EVO, si parte innanzitutto dicendo che il prodotto si basa su celle made in China, la stessa che ha prodotto le diffusissime e “discussissime” celle del 840 EVO.
Ricordate il bug degli 840 lisci ed EVO? (bug che riguardava tutte le tipologie di celle planari TLC)
Tranquilli è stato risolto… le celle ora perdono la memoria ;) ma… il controller è capace di prevenire problemi con un sistema di verifica ECC (LDPC) più rigido e con una frequenza ciclica maggiore. Il Garbage Collection (la riscrittura delle celle) avviene in maniera aggressiva onde prevenire questi problemi.
Naturalmente tutto questo ha un costo… maggiori scritture e maggior uso del controller, quindi di energia.
Ma ritorniamo alle celle; Samsung come tutti, raffina la tecnologia e passa dalla litografia a 19nm a quella a 16nm (come Micron o Sandisk, OCZ-Toshiba o Intel).
Ricordo che la “piccolezza” delle celle è proporzionale alla sua durata ed inversamente proporzionale a possibili problemi di latenza elettronica (elettroni che si liberano ed interferiscono sulla lettura della cella).
Se a questo si aggiunge il fatto che le celle sono TLC (3 bit per cella), questo completa il quadro di un SSD potenzialmente “rischioso” dal punto di vista della conservazione dei dati, ed oggettivamente con un ciclo di vita più basso rispetto a simili prodotti entry level.
Per confrontare, il 120GB 750 EVO è valutato per 35 terabyte di scrittura. Per la stessa capacità (120GB) l’850 EVO sfoggia una specifica 75 TBW. Il divario aumenta quando si passa al 250GB (70 TBW rispetto a 150 TBW).
Il controller del Samsung 750 EVO rappresenta comunque una evoluzione tecnica considerevole. Di base come per il modello Samsung 850 EVO (escluso taglio da 1TB) è l’ARM R4 (a 2 core da 400MHz di clock).
Come una cella 16nm costa meno di una cella 19nm, un controller MGX con DRAM integrata, riduce i costi di produzione.
Pur non rientrando nei cosiddetti DRAM-less (SSD il cui controller economico, utilizza le stesse celle NAND Flash anche come memoria volatile, senza la presenza di un modulo DRAM), il nuovo controller MGX lo integra con 256MB di memoria DDR3. Ricordo che Samsung ha mantenuto a lungo l’utilizzo della memoria DDR2.
Il controller ha la completa predisposizione alla crittografia e supporta la funzione Rapid Mode; tuttavia, come si vedrà, il Turbo Write risente della piccola quantità di celle dedicate all’emulazione SLC… insomma sul 750 EVO le performance date dai benchmark non rifletteranno veramente l’aumento di prestazioni fornito dalla Rapid Mode.
Nell’immagine vediamo a sinistra il controller MGX con DRAM integrata e a destra un pacchetto NAND Flash (sono 2, uno per parte sul pcb, nel modello da 250GB).
Abbiamo visto la tipologia di celle e il tipo di controller, ora pongo l’attenzione sulla loro sinergia.
A differenza della precedente generazione di controller, l’MGX rompe gli schemi e offre velocità di scrittura più sostenuta rispetto alle altre unità TLC-based (vedi OCZ-Toshiba e Micron-Crucial). Il suo quad-plane TLC Flash può infatti gestire il doppio dei flussi di dati degli altri controller, cioè ogni pacchetto NAND comunica con 4 die e non 2 sole, aumentando il parallelismo, dunque le prestazioni.
In parte questo spiega il motivo della superiorità del modello Samsung 850 EVO rispetto agli altri SSD TLC. In questo momento solo il Plextor M6V è dotato di un controller (Silicon Motion SM2246EN) che utilizza lo stesso performante parallelismo, ma in combinazione con celle MLC.
Ma, oltre alle caratteristiche tecniche, due elementi concorrono nel complesso, a farsi un’idea della bontà di un SSD: le performance e i consumi.
Performance sequenziali
I tecnici di Tom’s Hardware hanno provato innanzitutto le velocità sequenziali pure.
Viene scritto che il modello stupisce perché ottiene valori di lettura sequenziale maggiore rispetto al modello 850 EVO di pari capienza; il modello da 250GB tocca picchi di 540MB/s e, cosa più importante, in modo stabile.
Per la scrittura sequenziale le cose vanno diversamente. Il picco di velocità misura 520MB/s che l’SSD riesce a mantenere…. per qualche (decimi di) secondo, vista il ridottissimo buffer SLC (emulata); segue una velocità che nel taglio da 250GB raggiunge i 200-220MB/s mentre in quello da 120GB, non supera i 140-160MB/s.
Un risultato comunque prevedibile; la velocità di scrittura nativa dei TLC non diventerà un problema fino a quando non sarà necessario inviare un sacco di dati in una sola volta. Un installazione software oppure un trasferimento di album fotografici di grandi dimensioni, sono due esempi comuni di cui si sentirebbe nettamente questo calo di prestazioni.
Performance casuali
Il buffer SLC emulato lavora per mantenere elevate le prestazioni casuali. Anche se l'SSD 750 EVO dovrebbe essere un disco a basso costo, offre risultati di lettura casuale ammirevoli, il che è importante perché la maggior parte delle transazioni di dati assumono la forma di piccoli blocchi di lettura/scrittura.
I nuovi drive offrono anche picchi di 10.000 IOPS in lettura casuale.
Il 750 EVO e gli altri SSD entry level sono separati dalle prestazioni di scrittura casuale. Quando si testa l’SSD con piccole scritture casuali, la differenza tra gli SSD TLC planari e quelli che adottano celle MLC, si fa più marcata, specie con l’aumentare della coda dei blocchi da 4K.
Si evidenza comunque una maggiore reattività nelle scritture casuali del 750 EVO, rispetto agli SSD TLC planari dei principali competitor.
Carichi misti
I tecnici di Tom’s Hardware hanno messo a punto un test che consente di simulare una situazione reale.
128K Sequential 80% Read – che succede se la lettura sequenziale è fatta da 32 blocchi sequenziali che devono venire letti… prima 2 poi 4 poi 8..ecc. ?
In questo caso è come se avessimo una lettura si sequenziale, ma che, dando origine alla cosiddetta Queue Depth (QD) o profondità della coda, mette in gioco fattori quali la capacità fisica del controller di svolgere più letture in parallelo o la sua capacità gestionale derivante dagli appositi algoritmi di programmazione:
Il test delude fortemente i tecnici THW che si aspettavano comunque valori accettabili, visto l’ottima tenuta nei test sequenziali… purtroppo i limiti del controller e ancor più delle celle TLC planari è disarmante.
Prestazioni nello stato stazionario
Vi siete eh chiesti, quando l’avete letto nelle recensioni di THW, cosa voleva dire?! Bene, ora lo capirete.
Immaginate di avere un SSD Samsung 750 EVO nelle mani per testarlo (come non ho io ;) ); potete inserirlo in un pc desktop e procedere a testarlo così com’è, vuoto, ottenendo le massime prestazioni. Succede così nella realtà? Naturalmente no.
Allora ci installiamo su un sistema operativo e ci facciamo girare i software di test; bei risultati, non c’è male, ma funziona così nella realtà? Ancora no.
Per avvicinarsi ad una condizione simile al reale, bisogna simulare un riempimento di dati (ca 80%) e su questo iniziare a fare dei cicli di scritture (vada per 1 ora consecutiva). Qualsiasi area di ricambio si esaurirà durante la prova e alla fine di un certo lasso di tempo anche la più grande unità con più overprovisioning avrà raggiunto uno stato definito “stazionario”. Usando gli ultimi 400 secondi del test, si misurano velocità di lettura sequenziale e scrittura casuale, e si potrà vedere dal vero il “rendimento standard” in IOPS (operazioni I/O al secondo) del SSD.
Perché? Perchè avremo messo in moto le cancellazioni, le programmazioni, il parallelismo, le capacità del controller, la qualità delle NAND, il TRIM, Garbage Collection, Wear Leveling, stress termico ..insomma tutta la giostrina dentro l’SSD.
Ma passando al risultato, THW ci dice che nella lettura sequenziale, i 750 EVO fanno bene contro i concorrenti TLC-based, ma sono inferiori a tutti gli SSD dotati di NAND Flash MLC.
I risultati in scrittura casuale stupiscono nella consistenza e nelle prestazioni; queste ultime molto regolari e simili a quelle del 850 EVO. Alla pari degli OCZ Trion 150, fanno peggio i Crucial BX200, gli OCZ Trion 100 e i Sandisk Ultra II :
Con “consistenza” (se anche questa cosa avete visto e vi chiedevate cosa fosse.. ebbene) si intende la misurazione della variazione della capacita I/O dell’SSD in condizioni di stato stazionario. Cioè, prendo l’SSD e, come detto, faccio girare l’intera giostrina… quindi misuro gli IOPS come prima, ad intervallo di tempo predefinito; quindi prendo come riferimento la media di questi valori e trovo la massima deviazione… un po come dire la costanza della prestazione di scrittura casuale 4KB.
In questo caso, ancor più sorprendentemente, il 750 EVO è quasi alla pari del modello 850 EVO e si pone in coda al migliore SSD sulla piazza …il Samsung 850 PRO.
Il grafico ci dice che la stabilità delle prestazioni sotto carico viene mantenuta molto meglio da 750 EVO che non dai relativi competitor (tra cui il Sandisk Ultra II è preferibile al OCZ Trion 150) e che è vergognoso il comportamento del Crucial BX200.
Nel caso di SSD con celle TLC planari, anche l’utilizzo di un buon overprovisioning. non influisce sulla stabilità delle prestazioni.
Passando infine ai consumi
Entrambe le unità 750 EVO si comportano incredibilmente bene nella classica prova di durata della batteria del notebook con carichi simulati. Utilizzando lo stesso controller del modello 850 EVO, consuma meno di quest’ultimo, pur dissipando meno energia le celle 3D V-NAND. Il motivo di tanto risparmio non può quindi che essere attribuibile alla DRAM integrata del controller, più piccola e parsimoniosa.
Ma… si, c’è un ma; se la prova di durata della batteria viene fatta lasciando che l’SSD inserisca il regime di basso consumo (stato idle), le cose cambiano nettamente; l’uso aggressivo del GC, a fronte di soli 2-core, ma anche del LDPC (parity-check a bassa densità), richiede un consumo assolutamente maggiore.
Fonte: Tom's Hardware - Anandtech
- - - Updated - - -
Conclusioni
Ci ho pensato un po su per formulare delle conclusioni che potessero essere obbiettive.
Da possessore anche di SSD di tipo TLC devo ammettere che non mi sono trovato affatto male, e la diffidenza nel consigliarlo deriva dai problemi che sono venuti fuori con il famoso bug di Samsung... no, non quello del firmware del 850 PRO.. quell'altro del 840/840 EVO! :P
scusate ragazzi di Samsung SSD, ma la mia ironia, per ciò che poi dirò, ve la meritate.
Il Samsung 750 EVO stupisce assolutamente per le prestazioni. E' vero che, come tutti i TLC-based crolla se messo a dura prova, ma, punto 1, è il migliore tra gli SSD TLC planari sul mercato, punto 2, nell'uso "normale" nessuno tira l'SSD per andarne a vedere i limiti.
Vorrei vederlo sugli scaffali con prezzi più economici, questo si (anche se per me vale per tutti gli SSD "basici"), ma non è, tra questi, certo il più caro.
Il discorso durata è tutto ed il contrario di tutto. Mi spiego...
Se ho un pc sataII e lo voglio svecchiare, prendo un SSD economico e dico pure "chi se ne frega se dovesse durarmi meno di 5 anni..."
Se poi è un notebook, e già la batteria non mi tiene più la mezz'ora di carica... taaac... un bel Samsung 750 EVO sarebbe ok.
Se devo assemblare un pc per un teenager, che gioca e fa i compiti; ci metto un ssd, ma lo prendo piccolo, economico e mica duraturo... tanto lo so che tra due anni me lo smonta per metterci altro... quindi tac ... 750 EVO.
Quindi,c'è posto sul mercato anche per il Samsung 750 EVO... miglior SSD TLC-based.
Mi raccomando per ogni attività scegliete l'SSD giusto!
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