Tom's Hardware Italia
Storage

3D NAND anche per Micron e Intel, gli SSD rincorrono la Legge di Moore

Micron e Intel hanno presentato la nuova memoria 3D NAND per SSD e altri prodotti di archiviazione. Maggiori prestazioni, capacità e durata rispetto alle NAND planari, ma con consumi inferiori.

Micron e Intel hanno svelato la propria tecnologia di memoria NAND Flash 3D che sarà adottata in diversi prodotti, con gli SSD (Solid State Drive) ovviamente in pole position. Come le altre soluzioni 3D, da quelle di Samsung integrate negli SSD 850 Pro ed EVO fino alle nuove proposte di Toshiba/SanDisk a 48 layer, questo tipo di memoria si sviluppa in verticale, come un grattacielo.

3d nand die ssd m2
Chip 3D NAND di Intel e Micron accanto a un SSD M.2

Secondo le due aziende la nuova memoria permette di creare dispositivi di archiviazione con capacità tre volte superiore rispetto alle tecnologie NAND concorrenti – almeno se si confronta un die NAND 3D TLC Micron e Intel da 384 Gb con altre NAND 3D TLC del settore.

La nuova memoria 3D NAND è composta da 32 layer e i primi campioni di memoria MLC sono stati inviati oggi ai clienti, mentre il campionamento della versione TLC inizierà più avanti in primavera. La produzione in volumi prenderà il via nella seconda metà dell'anno presso uno stabilimento a Singapore. È molto probabile che Intel e Crucial – braccio consumer di Micron – annunceranno prodotti con questo tipo di memoria nei prossimi mesi.

3d nand die
Die di memoria 3D NAND Flash di Intel e Micron

"La memoria flash NAND planare si sta avvicinando ai limiti praticabili delle dimensioni, presentando sfide significative per il settore delle memorie. La tecnologia NAND 3D è destinata ad esercitare un impatto notevole, mantenendo le soluzioni di storage flash allineate alla Legge di Moore, ossia il percorso per continuare ad incrementare le prestazioni e il risparmio dei costi, favorendone un'ampia diffusione", ha dichiarato Brian Shirley, Vice President of Memory Technology and Solutions di Micron Technology.

La nuova memoria dovrebbe consentire un risparmio significativo sui costi, con consumi più bassi e prestazioni più elevate. Tutto questo è dovuto all'uso di una cella floating gate, un design universalmente utilizzato e perfezionato dopo anni di produzione in grandi volumi di memoria flash planare.

###65082###

È la prima volta che viene usata una cella floating gate nella NAND 3D. La nuova tecnologia NAND 3D posiziona le celle flash in 32 livelli verticali per ottenere un die MLC (Multi Level Cell) da 256 Gb e un die TLC (Triple Level Cell) da 384 Gb che rientrano in un package standard.

Intel SSD 730 da 240 GB Intel SSD 730 da 240 GB
Crucial MX200 da 1 TB Crucial MX200 da 1 TB

Queste capacità rendono possibili unità SSD delle dimensioni "di una gomma da masticare" con oltre 3,5 TB di spazio e SSD standard da 2,5 pollici superiori a 10 TB (ovviamente non nell'immediato futuro). Più generalmente si parla di un tetto per questa prima generazione pari a un massimo di 48 GB di spazio per die.

3d nand wafer
Wafer di chip 3D NAND di Micron e Intel

Poiché la capacità si ottiene posizionando le celle in verticale, le dimensioni delle singole celle possono essere notevolmente più grandi. In questo modo si prevede di ottenere un aumento sia delle prestazioni che dell'efficienza, rendendo anche le architetture TLC adatte per l'archiviazione nei datacenter.