I Taiwan National Nano Device Laboratories (NDL) hanno prodotto una cella di memoria SRAM con processo a 16 nanometri. La cella prodotta ha una dimensione di 0,039 micron quadrati, il 43% in meno rispetto alla cella SRAM più piccola finora realizzata. Per raggiungere lo scopo, l'NDL ha usato ciò che viene definita litografia "maskless photoresist-free nano-injection".
NDL sta cercando partner a Taiwan - TSMC, UMC e MXIC - per sviluppare ulteriormente la tecnologia produttiva e renderla matura per la futura produzione di chip. La produzione di una cella SRAM è il primo passo per l'applicazione del nuovo processo produttivo con un chip completo.
"I gadget elettronici come i cellulari e i portatili potranno diventare più piccoli, leggeri e meno costosi con questa tecnologia", ha dichiarato il capo di laboratorio Fu-liang ad AFP, pronosticando portatili futuri con un peso non superiore ai 500 grammi.