Chip a 7 nanometri FinFET, ARM e TSMC uniscono le forze

ARM e TSMC hanno rinnovato la loro collaborazione estendendola allo sviluppo di chip con processo produttivo a 7 nanometri FinFET. Non sono ancora chiare tempistiche e miglioramenti.

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a cura di Manolo De Agostini

ARM e TSMC collaboreranno per sviluppare il processo produttivo a 7 nanometri FinFET, al fine di creare chip ad alte prestazioni e bassi consumi che saranno usati non solo in ambito mobile, ma anche nel settore delle apparecchiature di rete e nei datacenter.

L'accordo pluriennale consolida la partnership tra le due aziende, già in essere per i processi produttivi a 16 e 10 nanometri FinFET. Le due hanno recentemente effettuato il tape-out di un chip Cortex-A72 con i due processi produttivi, al fine di testarne la maturità.

wafer

"Lo sviluppo della tecnologia a 7 nanometri procede come da programma. Il processo a 7 nanometri sfrutta quanto realizzato con i 10 nanometri in modo efficace. Allo stesso tempo i 7 nanometri offrono un miglioramento sostanziale per quanto riguarda densità, prestazioni e riduzione dei consumi rispetto ai 10 nanometri", ha spiegato TSMC.

Il produttore taiwanese non è pronto a entrare nei dettagli né a dare tempistiche certe. In passato si è vociferato di un inizio della produzione a 7 nanometri FinFET nel 2017, ma da alcuni è giudicata una tabella di marcia piuttosto ambiziosa. È tuttavia possibile che i primi chip di TSMC creati con il nuovo processo si affaccino sul mercato nel 2018.

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Il chip a 7 nanometri di IBM

In tema di processo a 7 nanometri è bene ricordare che tutti i produttori di chip stanno già sperimentando da tempo, tanto che lo scorso luglio IBM Research ha creato un primo chip completamente funzionante. Il chip a 7 nanometri dell'azienda statunitense si basa su transistor con un canale in silicio-germanio (SiGe) ed è stato realizzato con litografia Extreme Ultraviolet (EUV), un metodo di produzione più avanzato di quello attuale.

È improbabile che TSMC usi la litografia Extreme Ultraviolet (EUV), ma si tratterà di una strada che presto o tardi dovrà imboccare. La litografia EUV ha una lunghezza d'onda più piccola, di soli 13,5 nanometri rispetto ai 193 nm della litografia attuale, e sarà necessaria per progettare chip sempre più piccoli in futuro. Di recente Intel ha illustrato i progressi fatti in merito, ma sono ancora tante le sfide affinché possa essere usata nella produzione a elevati volumi.

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