Differenze tra memoria GDDR5X e GDDR6, cosa cambia

In un post sul proprio blog Micron ha confermato l'intenzione di produrre in volumi memoria GDDR6 dall'inizio del prossimo anno, seguendo la sudcoreana SK Hynix e probabilmente Samsung.

Il post è interessante perché non solo svela che l'azienda ha raggiunto con le GDDR5X un data rate di 16 Gbps in un ambiente di test, ma anche perché mette a confronto le caratteristiche dell'attuale memoria e quella di prossima generazione.

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Le GDDR6 offriranno una densità maggiore. Se per le GDDR5X la JEDEC ha fissato un tetto fino a 16 Gbit (2 GB), per le GDDR6 tale limite salirà a 32 Gbit (4 GB). Micron, al momento, produce GDDR5X con densità di 8 Gbit, mentre per il futuro prevede di realizzare GDDR6 a 8 Gbit (1 GB) e 16 Gbit (2 GB).

Se dovessimo andare, ipoteticamente, a sostituire le GDDR5X a bordo della Titan Xp con le future GDDR6 a 16 Gbit, la scheda avrebbe un totale di 24 GB di memoria, mentre se si dovesse arrivare a realizzare chip a 32 Gbit si otterrebbero 48 GB di memoria.Dal punto di vista delle prestazioni, invece, la JEDEC indica un intervallo da 10 a 16 Gbps per entrambi gli standard. Probabilmente le GDDR5X, malgrado Micron abbia testato con successo soluzioni a 16 Gbps, si fermeranno a 12 Gbps, mentre le prime GDDR6 dovrebbero funzionare a 12 e 14 Gbps.

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Una differenza fondamentale tra le due memorie è l'architettura dual-channel delle GDDR6 rispetto a quella single channel delle GDDR5X, unitamente a un package diverso (FBGA180) con un pitch maggiore. In questo modo le memorie potranno usare meglio il bus a disposizione ma, allo stesso tempo, richiederanno nuovi design. Non ci saranno invece variazioni per quanto riguarda l'alimentazione.

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