Il gigante coreano dell’elettronica Samsung ha annunciato di aver avviato la produzione di massa delle sue memorie V-NAND di ottava generazione, caratterizzate da circuiti integrati con una velocità di trasferimento di 2.400MT/s (presumibilmente con 236 strati) e che, se abbinate a un controller PCIe 5.0 adeguato, sono in grado di creare SSD in grado di superare anche 12GB/s.

SungHoi Hur, Executive Vice President of Flash Product & Technology di Samsung Electronics, ha affermato:

Poiché la domanda del mercato per uno storage più denso e di maggiore capacità spinge ad aumentare il numero di strati V-NAND, Samsung ha adottato la sua avanzata tecnologia di scaling 3D per ridurre la superficie e l’altezza, evitando al contempo le interferenze tra celle che normalmente si verificano con lo scaling down. La nostra V-NAND di ottava generazione contribuirà a soddisfare la domanda di mercato in rapida crescita e ci permetterà di offrire prodotti e soluzioni più differenziati, che saranno alla base delle future innovazioni nel campo dello storage.

Le nuove memorie V-NAND hanno una capacità di 1Tb (128 GB) con una densità, secondo quanto riferito da Samsung, che è la più alta del settore (senza specificare le dimensioni del circuito integrato o la densità effettiva) e offrono una produttività per wafer superiore del 20% rispetto agli attuali circuiti integrati flash con la stessa capacità, portando a una riduzione dei costi per l’azienda a parità di resa. Questa è un’ottima notizia per i consumatori finali, in quanto possono sperare in prezzi inferiori degli SSD.

Purtroppo, al momento Samsung non ha annunciato alcun prodotto che farà uso delle sue memorie V-NAND di ottava generazione, ma probabilmente non manca molto alla pubblicazione di ulteriori informazioni a riguardo.