La cinese Tsinghua Unigroup, che fa capo alla controllata statale Tsinghua University, intende investire 30 miliardi di dollari nella costruzione di un nuovo impianto per la produzione di DRAM e NAND a Nanchino.
Con questa mossa l'azienda vara l'ennesima forte espansione, dopo l'acquisizione del 51% di Yangtze River Storage Technology, che recentemente aveva annunciato un altro investimento di 24 miliardi in una fabbrica per produrre NAND e DRAM a Wuhan.
L'industria della memoria NAND è entrata in un periodo difficile, in cui la produzione non riesce a tenere il passo della domanda. Secondo gli analisti questa situazione dovrebbe protrarsi anche nei mesi a venire, con risvolti non proprio piacevoli per i prezzi dei prodotti finali.
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Negli anni il settore della produzione di NAND e DRAM ha vissuto un consolidamento verso poche aziende, che però bastavano per coprire le richieste del mercato. L'aumento della domanda, specie di memoria 3D NAND, ha però portato uno sconquasso, dato che solo Samsung non si è fatta trovare impreparata. SanDisk, Toshiba, SK hynix e in minor misura Intel e Micron, hanno ritardato il passaggio alla 3D NAND e per questo l'industria è lontana dall'assicurare la mole produttiva necessaria.
Questi ritardi sono il catalizzatore dell'attuale carenza di memoria, ma l'ingresso sulla scena di Tsinghua potrebbe sconvolgere gli equilibri, portando addirittura a un eccesso produttivo. Una manna dal cielo vero? No, affatto. Un eccesso produttivo potrebbe dilapidare i margini di guadagno dell'industria, e per questo i principali attori del settore guardano a Tsinghua con preoccupazione.
L'azienda cinese ha tentato più volte di entrare nel mercato dei semiconduttori, dapprima con un investimento di circa 3,8 miliardi di dollari in Western Digital, poi bloccato sulla scia di possibili indagini da parte delle autorità statunitensi. Tsinghua ha anche cercato delle intese con Micron e SK hynix, senza però arrivare a un accordo. Di conseguenza l'azienda ha iniziato a investire pesantemente in Cina e ha assunto dirigenti taiwanesi con grande esperienza nel settore produttivo a guidare i propri sforzi.
Secondo le previsioni il nuovo impianto di Nanchino dovrebbe produrre fino a 100.000 wafer al mese, con l'avvio della produzione pilota atteso per il 2018. Al momento non è chiaro quale tipo di memoria NAND uscirà dallo stabilimento di Tsinghua (floating gate o charge trap), che comunque avrà bisogno di siglare diversi accordi di licenza tecnologici. Non è da escludere che l'azienda cinese approcci Toshiba, intenzionata a effettuare lo spinoff della divisione semiconduttori.
Produrre memoria DRAM e 3D NAND con processi produttivi sempre minori non sarà cosa facile, anche perché il business impone di farlo in modo efficiente, ossia guadagnandoci. Se però Tsinghua avrà successo, non c'è dubbio che altererà lo status quo.
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