I ricercatori IBM hanno realizzato un transistor RF al grafene con la frequenza di taglio di 100 miliardi di cicli/secondo (100 gigahertz). Il grafene è uno strato bidimensionale di atomi di carbonio altamente legati e disposti in ordine esagonale.
"Un vantaggio chiave del grafene è l'alta velocità con la quale si propagano gli elettroni, che è essenziale per la futura generazione di transistor. Il traguardo che abbiamo annunciato dimostra che il grafene può essere usato per produrre dispositivi ad alte prestazioni e circuiti integrati", ha affermato il dottor T.C. Chen, vicepresidente di IBM Research Science and Technology.
Data la lunghezza del gate di 240 nanometri, il transistor è relativamente grande. Proprio sulla dimensione del gate si giocherà l'incremento della frequenza del dispositivo al grafene, peraltro già più elevata rispetto a quelli al silicio con la stessa lunghezza di gate (circa 40 gigahertz).
Sul grafene come sostituto del silicio non sta lavorando solo IBM, ma anche diverse Università .