Micron ha annunciato di aver realizzato il primo modulo DDR4 perfettamente funzionante. L'azienda statunitense sta iniziando a realizzare i primi sample, così da ricevere il feedback dei partner e risolvere eventuali problemi per il debutto previsto nel 2013. La produzione in volumi delle memorie DDR4 inizierà già quest'anno, nel corso del quarto trimestre.
La DDR4 in oggetto è stata co-sviluppata con Nanya ed è basata sul processo produttivo a 30 nanometri. Si tratta di una soluzione DDR4 da 4 GB x8 ma in futuro saranno disponibili anche prodotti x16 e x32 con velocità iniziali sino a 2400 megatransfer al secondo (MT/s). Si raggiungeranno anche i 3,2 GHz.
Successivamente Micron amplierà il suo portfolio di soluzioni DDR4 con RDIMM, LRDIMM, 3DS, SODIMM e UDIMM (standard ed ECC). "Con le specifiche della JEDEC per le DDR4 vicine alla finalizzazione, abbiamo riposto sforzi rilevanti nell'assicurarci che le nostre DDR4 siano compatibili con lo standard JEDEC in questa fase di sviluppo", ha dichiarato Brian Shirley, vicepresidente del DRAM Solutions Group di Micron. "Abbiamo fornito i sample ai partner principali sul mercato con la sicurezza che il die che diamo loro è lo stesso che entrerà nella produzione di massa".
Ricordiamo che Samsung ha già mostrato prototipi di moduli DDR4 da 2133 MHz e Hynix si è spinta fino a 2400 MHz. Questo tipo di memoria debutterà nel settore enterprise, e non a caso si vocifera che l'architettura Intel Haswell-EX con in arrivo nel 2014 sarà la prima soluzione hardware a supportarla. Negli anni successivi ci sarà il passaggio anche ai settori desktop e mobile. Tra le specifiche chiave troviamo la tensione di alimentazione di 1,2 volt. Altri dettagli potete leggerli in questa news.