Memorie

Intel avanza nella produzione di memorie 3D NAND, in arrivo chip a 144 layer

Intel, dopo la fine della partnership con Micron durata ben 13 anni, ha deciso di investire nel settore di ricerca per la produzione di memorie 3D NAND: oggi, dal capo della divisione NSG Rob Crooke apprendiamo che Intel è pronta per lanciare nel 2021 memorie basate su chip a 144 layer.

Prima però un breve ripasso. È il lontano 2006, Intel e Micron Technology iniziano una joint venture che da vita a IM Flash Technologies, destinata allo sviluppo di memorie 3D XPoint per computer casalinghi e data center. La collaborazione durata circa 13 anni, ma in seguito a diverse problematiche, nell’ottobre del 2019 Micron compra definitivamente l’intera divisione, compresa ovviamente la parte di Intel. Con questa manovra Micron ha decisamente segnato un’acquisizione importante per affermarsi come leader nel settore produttivo per la memoria 3D XPoint.

Intel si è quindi dovuta attrezzare per rispondere alla mossa di Micron, oggi il colosso di Santa Clara vanta un team di sviluppo per la ricerca NAND Flash completamente indipendente. Le roadmap attuali ci fanno sapere che Intel dovrebbe iniziare la produzione dei primi sample di memorie flash 3D NAND a 144 layer nello stesso momento in cui Micron inizierà la produzione dei suoi suoi chip NAND flash 3D a 128 layer.

D’altro canto SK Hynix, altro “peso massimo” del settore, inizierà la produzione dei suoi chip NAND Flash 3D a 128 layer nel corso di quest’anno. Per KIOXIA (Toshiba) bisognerà aspettare invece intorno alla fine del 2020 prima di vedere dei chip a 112 layer. Sempre sul fronte dei 128 layer si muove anche il produttore di Wuhan YMTC.

Dando uno sguardo alla tecnologia di Intel, le sue memorie 3D NAND a 144 layer dovrebbero basarsi su quattro bit per cella ed essere di tipo QLC, ma potrebbero essere configurati per funzionare correttamente anche come memoria TLC o SLC, quindi a densità inferiori.

Quando vedremo il primo SSD basato su questa tecnologia? Teoricamente entro la fine di quest’anno, con nome in codice “Keystone Harbor“. Nel frattempo Intel pensa ad affinare la tecnologia PCL basata su configurazioni 5 bit per cella, che dovrebbe permettere un aumento di densità chip di circa il 25%.

Intel sarebbe poi vicina al lancio della sua seconda generazione di memoria 3D XPoint. La nuova memoria dovrebbe (a differenza della prima versione a 2 layer) essere basata su ben 4 layer. Per quanto riguarda i nuovi Optane (nome in codice “Alder Stream“) bisognerà attendere la fine dell’anno. Arriveranno differenti versioni: a doppia porta il prossimo anno, a singola porta quest’anno.

L’unità farà affidamento su un nuovo controller molto avanzato, che sfrutterà un’interfaccia host PCI-E 4.0. Non è ancora chiaro, ma probabilmente l’architettura “Alder Stream” farà parte dell’ecosistema dato dal futuro processore Xeon “Sapphire Rapids” e dalla piattaforma “Eagle Stream“, che supporteranno lo standard PCI-E 4.0.

In cerca di un ottimo SSD portatile? con ottime memorie di tipo TLC a 92 Layer e sblocco con impronta digitale, il modello Samsung  T7 Touch rappresenta un ottima scelta.