Intel mette le mani sul transistor senza giunzione

Intel si accorda con il Tyndall National Institute per collaborare su diverse ricerche, prima fra tutte il transistor privo di giunzione realizzato nei mesi scorsi e potenziale nuovo passo avanti per tutta l'industria elettronica.

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a cura di Manolo De Agostini

Intel collaborerà per tre anni, investendo 1,5 miliardi di dollari, con il Tyndall National Institute di Cork, Irlanda. Gli scienziati dell'azienda (che arriveranno direttamente dalla sede di Portland) lavoreranno a stretto contatto con quelli dell'istituto su un'ampia gamma di ricerche, dai materiali sino al transistor senza giunzione annunciato nei mesi scorsi (Nuovo transistor, migliore in tutto, ed è già realtà). La casa di Santa Clara potrà sfruttare il frutto del lavoro congiunto a fini commerciali.

Intel è già presente in Irlanda con un impianto produttivo a Leixlip, vicino a Dublino. Quello con l'istituto di Tyndall è il secondo accordo di collaborazione di Intel in Europa. Il primo è quello con l'istituto di ricerca IMEC a Louvain, Belgio. Alla base di quest'accordo c'è proprio il transistor junctionless (senza giunzione), in grado secondo gli studi di estendere la validità della legge di Moore, ridurre il costo produttivo e i consumi.

Transistor junctionless

Il nuovo transistor è privo di giunzione fisica - necessaria per il trasporto degli elettroni - e usa un gate di controllo (control gate) attorno a un conduttore in silicio per regolare il passaggio degli elettroni. Il flusso di corrente è gestito dal control gate "comprimendo" elettricamente i nano collegamenti in silicio, grazie a una struttura ad anello di facile produzione.

La dimensione dei nano collegamenti è pari a qualche dozzina di atomi. Nel progetto di Jean-Pierre Colinge, capo del team di ricercatori, i transistor sono stati realizzati con una tecnica produttiva basata sull'uso di un cannone a elettroni. L'architettura sarebbe compatibile con gli attuali processi produttivi CMOS e la dimensione del transistor troverebbe applicabilità a grandezze nell'ordine dei 10 nanometri.