Intel Corporation ha realizzato chip di SRAM (Static Random Access Memory) pienamente funzionanti con la tecnologia di processo a 65 nanometri (nm), il processo di produzione di semiconduttori in grandi quantità di nuova generazione. Intel intende mettere in produzione questo processo nel 2005 utilizzando wafer da 300 mm.
Il nuovo processo a 65 nm (un nanometro corrisponde a un miliardesimo di metro) combina transistor dalle prestazioni più elevate e a basso consumo di energia, una versione di seconda generazione del silicio "strained" di Intel, interconnessioni in rame ad alta velocità e un materiale dielettrico low-k (a bassa costante k). Realizzando chip con il processo a 65 nm, Intel sarà in grado di raddoppiare il numero di transistor installabili su un unico chip.