Benchmark

Intel ha usato un controller Silicon Motion SM2258 e l'ha accoppiato alla memoria TLC SK Hynix a 16 nanometri per i suoi SSD 540s. Intel punta alla fascia a basso costo del mercato, ma le prestazioni sono sempre importanti. Vediamo come si comporta.

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a cura di Tom's Hardware

Prodotti di confronto

Il prezzo degli Intel SSD 540s è in linea con i prodotti mainstream ma le specifiche prestazionali sono da SSD entry-level. Detto questo abbiamo scelto di usare prodotti di confronto con prestazioni entry-level per verificare le prestazioni di queste unità. Il mercato degli SSD mainstream si è ridotto nel corso dell'ultimo anno. I prezzi della NAND Flash TLC sono in caduta libera, ma i prezzi della NAND Flash MLC stanno crescendo di pari passo con il volgere della produzione verso le NAND ad alta capacità, anziché le alte prestazioni.

L'Adata SP550 usa il controller SMI SM2256 di precedente generazione accoppiato alla NAND TLC di SK Hynix. L'unità ricorda da vicino l'Intel SSD 540s che testiamo. Ai grafici aggiungiamo il Crucial BX200, il MyDigitalSSD BP5e e l'OCZ Trion 150 (ora chiamato TR150). Per le proposte mainstream inseriamo il Mushkin Reactor e il Samsung 850 EVO.

Prestazioni in lettura sequenziale

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Leggere dati sequenzialmente dalla memoria flash è una delle operazioni più facili per un SSD. Tutte le unità si comportano bene a queue depth elevate ma troviamo una variazione alle queue depth più basse, ossia dove i sistemi operativi effettuano gran parte delle operazioni di lettura. Abbiamo isolato le prestazioni a QD2 e riscontrato che quasi tutti i prodotti superano 500 MB/s. Gli SSD 540s sono quasi al fondo del grafico con 516 MB/s.

Prestazioni in scrittura sequenziale

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Osserviamo una variazione prestazionale molto maggiore durante i test di scrittura sequenziale. Molte dell'unità nel grafico usano un approccio a due livelli per archiviare i dati di scrittura in entrata. Gli SSD emulano in una piccola area della NAND un buffer SLC che opera in modalità a un bit per cella. Gli SSD scrivono inizialmente i dati in questa area per aumentare le prestazioni in scrittura.

Sfortunatamente il buffer SLC consuma tre volte più capacità rispetto alla memoria NAND Flash TLC, quindi i produttori di SSD limitano la dimensione del buffer. Gli SSD migrano il dato dall'SLC alla NAND TLC più lenta, quando la porzione SLC è piena. Gli utenti non notano questa transizione se il buffer SLC è piuttosto grande.

Ogni azienda usa un algoritmo diverso. Phison ha creato un nuovo sistema di scrittura "direct-to-die" per scrivere dati direttamente nell'area TLC. Il MyDigitalSSD BP5e e l'OCZ Trion 150 usano questa tecnica.

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Qui vediamo un test che scrive un dato sequenziale da 128 KB verso uno spazio utente pieno dell'Intel SSD 540s. Le prestazioni di trasferimento della TLC, ossia fuori dal buffer SLC, toccano circa 135 MB/s. Si tratta di un valore abbastanza alto per un trasferimento di file a piena velocità tramite una connessione gigabit Ethernet.

Prestazioni in lettura casuale

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C'è una separazione molto piccola durante le letture casuali a basse queue depth, a eccezione del Samsung 850 EVO da 500 GB. L'Intel SSD 540s è il più veloce tra gli SSD non Samsung a usare memoria TLC, e con una QD1 è appena dietro al Mushkin Reactor da 512 GB con memoria MLC. Gli SSD 540s scalano bene all'aumentare della queue depth, ma non riesce a toccare le prestazioni dell'850 EVO.

Prestazioni in scrittura casuale

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L'Intel SSD 540s con controller SMI SM2258 offre prestazioni casuali di scrittura superiori all'Adata SP550, che usa il controller SM2256 di precedente generazione e la stessa memoria SK Hynix. Sospettiamo che l'SM2258 sia quasi identico all'SM2256 a parte la maggiore frequenza di clock, cosa che permette al controller di processare i dati più rapidamente. Nessun prodotto si comporta eccezionalmente bene con le scritture casuali, ed entrambi inseguono l'850 EVO con 10.000 IOPS a queue depth 1.

Carico sequenziale misto all'80%

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La documentazione di marketing di Intel per gli SSD 540s parla di ottimizzazioni per i carichi misti. Siamo felici di vedere che l'industria degli SSD consumer stia ottimizzando per carichi reali piuttosto che per raggiungere risultati elevati nei benchmark con carichi irrealistici.

L'Intel SSD 540s si comporta molto bene nel test con carico misto sequenziale. Il buffer SLC nella maggior parte dei prodotti crea onde nei risultati dei test, quindi abbiamo dovuto esaminare i risultati e normalizzare i dati. I risultati con QD 2 e 4 hanno maggiore valore che a queue depth più alte.

Carico casuale misto all'80%

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L'Intel 540s dovrebbe raggiungere prestazioni al top rispetto agli altri prodotti TLC, salvo il Samsung 850 EVO da 500 GB, nei risultati misti sequenziali. Il Mushkin Reactor con memoria MLC è solo leggermente più veloce con poche queue depth, ma il 540s opera all'incirca alla stessa velocità. Siamo sicuri che ci sono tanti produttori di SSD che vorrebbero togliere l'850 EVO dai test, ma il suo prezzo ridotto e le alte prestazioni fanno parte di questo mercato.

Stato di equilibrio sequenziale

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L'Intel SSD 540s fornisce buone prestazioni in condizioni di stato di equilibrio quando la maggior parte del carico è legato alle letture. Le operazioni intensive dal punto di vista delle scritture rappresentano un problema per questo SSD, ma come modello a basso costo entry-level Intel non ha creato gli SSD 540s per ambienti in cui avvengono pesanti scritture.

Stato di equilibrio casuale

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Ci siamo sempre chiesti come Intel si sarebbe occupata della costanza prestazionale con un SSD entry-level. I prodotti della serie 7 (sia i modelli PCIe e SATA) pongono molta enfasi nel mantenere il flusso dei dati costante. La documentazione degli SSD 540s non dice molto circa la costanza prestazionale, ma non possiamo incolpare Intel per aver messo questo argomento sotto il tappeto con questo prodotto. 

Gli SSD 540s non sono le unità che vorrete usare in RAID 0 sulle motherboard, al contrario degli SSD 730.