MacBook Air con SSD NAND velocissimo, ma saldato

Secondo indiscrezioni non confermate i nuovi MacBook Air in arrivo potrebbero installare memorie flash NAND da 400 MBps con tecnologia Toggle DDR 2.0. I nuovi chip sarebbero più piccoli di quelli attuali e sono saldati direttamente sulla scheda madre. Si prospetta un risparmio di spazio, soldi e consumi.

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a cura di Elena Re Garbagnati

Secondo un'indiscrezione pubblicata dal sito giapponese Macotakara, Apple potrebbe adottare per i nuovi MacBook Air delle memorie flash NAND da 19 nanometri che garantirebbero una velocità di 400 MBps. Il sito giapponese cita come fonte un non meglio precisato produttore asiatico di componenti di elettronica, e come sempre Apple non ha né smentito né confermato la notizia.

Samsung NAND flash da 64 gigabit Toggle DDR 2.0

Secondo quanto riportato da Macotakara, questa nuova tecnologia, che sfrutta l'interfaccia "Toggle DDR 2.0", dovrebbe sostituire quella Blade X-gale attualmente presente nei MacBook Air. Il principale vantaggio delle nuove memorie flash dovrebbe essere la dimensione più ridotta del chip, tanto che potrebbe essere saldato direttamente sulla scheda madre del nuovo MacBook Air. In questa evenienza, tuttavia, non sarebbe possibile fare aggiornamenti futuri.

Rispetto alla tecnologia SSD impiegata oggi, sembra che questa soluzione possa inoltre garantire un risparmio di costi e di spazio, oltre a un minor consumo di corrente. Il controller Toggle DDR 2.0, infatti, dovrebbe analizzare anche la frequenza di utilizzo e tenere in memoria le preferenze degli utenti in modo da attivare automaticamente una modalità a basso consumo in grado di prolungare la durata della batteria di un notebook per un'ora o più, stando a quanto aveva spiegato Samsung lo scorso anno.

Le memorie flash presenti oggi nel MacBook Air

Stando a quanto riportato dal sito giapponese, l'Open NAND Flash Interface Working Group, che definisce gli standard per le memorie NAND flash, ha pubblicato nel marzo scorso la specifica ONFI 3.0 che certifica la velocità di 400 MBps, ma né Toshiba né Samsung lo hanno sottoscritto. I due fornitori utilizzeranno piuttosto l'interfaccia Toggle DDR 2.0, che è in fase di certificazione da parte di JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council).

Toshiba (già fornitore Apple per le memorie SSD insieme a Samsung) ha in produzione NAND da 19nm. Il suo prodotto dovrebbe essere il chip da 64 gigabit multi-level cell (MLC, con 2 bit per cella) che ha annunciato in aprile, e che sfrutta proprio l'interfaccia Toggle DDR2.0. La produzione in volumi dovrebbe essere iniziata questo trimestre, e il produttore giapponese sostiene di essere in grado di "assemblare sedici chip di memoria da 64 Gbit in un unico pacchetto, per fornire dispositivi da 128 GB per smartphone e tablet". 

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Inoltre, Toshiba potrebbe esordire entro la fine dell'anno con una NAND da 3 bit per cella: un particolare che potrebbe aumentare la capacità del 50 percento e consentirebbe ad Apple di usare prodotti da 192 GB fisicamente più piccoli di quelli attuali da 128 GB.

Il rinnovo della gamma MacBook Air è atteso a giorni (MacBook Air a luglio, altro scacco agli ultra-portatili), e i rumor riferiscono che potrebbe essere ancora più sottile dei predecessori, quindi potrebbe essere spiegata la necessità di memorie più piccole di più facile integrazione. Oltre a questo, sembra ormai dato per assunto che l'ultraportatile della mela installerà processori Sandy Bridge e la connessione Thunderbolt.