La memoria 3D NAND compie un nuovo passo avanti. SanDisk e Toshiba hanno infatti annunciato di aver prodotto con successo il primo chip NAND Flash al mondo composto da 48 layer (strati) impilati l'uno sull'altro.
La memoria, chiamata anche BiCS, è una soluzione con una densità di 128 gigabit (16 GB) di tipo MLC (2 bit per cella). L'aspetto interessante sono i 48 layer, un numero maggiore rispetto ai 32 layer della memoria 3D V-NAND che Samsung usa per gli SSD 850 Pro e 850 EVO. Più strati dovrebbero garantire una maggiore densità per chip, mentre la struttura 3D dovrebbe assicurare maggiore affidabilità e velocità.
"La produzione pilota inizierà come pianificato nella seconda metà del 2015 nell'impianto in joint venture con Toshiba di Yokkaichi, con una produzione commerciale prevista per il 2016", si legge sulla nota stampa diffusa da SanDisk. I primi sample saranno consegnati ai clienti a partire da oggi.
"Abbiamo usato la nostra prima generazione di memoria 3D NAND come un veicolo di apprendimento e questo ci ha permesso di realizzare la nostra seconda generazione commerciale", ha spiegato il Dottor Siva Sivaram, vicepresidente esecutivo memory technology di SanDisk.
 | SSD SanDisk Extreme Pro da 240 GB | |
 | SSD SanDisk Ultra II da 240 GB |
SanDisk e Toshiba intendono usare questa nuova soluzione di memoria per diverse soluzioni di archiviazione, dalle schede rimovibili agli SSD di classe enterprise.
Probabilmente Samsung non tarderà a rispondere, mentre sul fronte "Micron/Intel" tutto tace, ma un annuncio sembra imminente. Non molto tempo fa Rob Crooke, dirigente di Intel, ha affermato che la nuova 3D NAND consentirà di offrire SSD server con una capacità fino a 10 terabyte entro i prossimi due anni.