L'archiviazione dati su memoria ferroelettrica (FeRAM) compie nuovi passi in avanti. Un team dell'Università di Tokyo, guidato da Kenkou Tanaka e Yasuo Cho, è riuscito a raggiungere una densità dati di 4 trilioni di bit per pollice quadrato (trilione = 1.000.000.000.000.000.000 o 10 alla diciottesima).
Questo traguardo è stato raggiunto usando un dispositivo chiamato Scanning Nonlinear Dielectric Microscope, capace d'inviare impulsi di tensione al materiale ferroelettrico (litio tantalato prodotto a 30 nanometri). Il risultato del bombardamento ha permesso al team di modificare lo stato - 1 o 0 - dei minuscoli punti che compongono il materiale ferroelettrico. I due ricercatori hanno anche sviluppato un metodo per ridurre l'incidenza dei punti scritti erroneamente sperimentando impulsi di differente ampiezza.
Il sistema che ha permesso di raggiungere una densità così elevata è alquanto complicato - non sostenibile economicamente dai produttori di unità di archiviazione. Tuttavia gli sviluppi futuri potrebbero permettere all'archiviazione ferroelettrica di inserirsi in alcuni settori, in particolare in quello dove serve un'elevata capacità in spazi contenuti, sostituendo le attuali tecnologie. Al momento non è chiaro quando vedremo in commercio un prodotto basato su memoria ferroelettrica.