Memorie

Micron, DRAM 1α e non solo: le novità del Computex 2021

Dal Computex di Taipei Micron Technology ha presentato nuovi prodotti che si vanno ad aggiungere alla già vasta gamma di soluzioni di memoria e archiviazione, basate sulla tecnologia (sviluppata dalla stessa Micron) NAND a 176 strati (protagonista indiscussa dei nuovi SSD PCIe 4.0, appena entrate nella fase di produzione di massa) e DRAM 1-alpha, oltre all’archiviazione flash universale 3.1 per il settore automotive. L’azienda punta a innovare sempre di più il mondo della memoria e dell’archiviazione in modo da aggiungere sempre più funzionalità e accelerare le informazioni basate sui dati.

A partire da questo mese saranno disponibili sul mercato le prime DRAM LPDDR4X con nodo 1α: questa nuova tecnologia rappresenta le specifica JEDEC più recente per le DRAM di quarta generazione, caratterizzate da un consumo bassissimo in corrispondenza di elevate tensioni sia in ingresso che in uscita, rendendola di fatto la soluzione ideale per dispositivi mobile.

Sanjay Mehrotra, CEO di Micron Technology, ha affermato che:

“Con la diffusione a livello mainstream di intelligenza artificiale e 5G, nello scenario post-pandemico si sta delineando un notevole potenziale per il settore dati. Questa trasformazione rappresenta un’opportunità per accelerare l’innovazione e rispondere alle esigenze dei clienti. Oggi presentiamo nuove soluzioni di memoria e archiviazione in grado di accelerare l’innovazione, da potenti server di data center e dispositivi client veloci, ai veicoli intelligenti in prossimità dell’edge”.

Gli SSD PCIe 4.0, di cui fanno parte Micron 3400 e Micron 2450, garantiscono un’ampia flessibilità di progettazione e un consumo energetico ridotto rispetto alle tecnologie precedenti, oltre a prestazioni molto elevate. Micron 3400 è perfetto per applicazioni di rendering 3D in tempo reale, fornendo il doppio della velocità di lettura e fino all’85% in più di velocità di scrittura rispetto al Micron 2300. Micron 2450, disponibile in tre fattori di forma, è invece più adatto all’uso quotidiano, mantenendo comunque delle specifiche di tutto rispetto e offrendo un’esperienza utente altamente reattiva.

Micron 3400 e Micron 2450 fanno inoltre parte della lista dei componenti della piattaforma Intel Modern Standby Partner Portal, grazie all’ottimizzazione dell’efficienza energetica che gli ha anche consentito di soddisfare i requisiti dei test open lab SSD di Intel Project Athena. Se ciò non bastasse, entrambi i prodotti sono stati approvati all’interno della policy Power Speed PCIe di AMD e Modern Standby di Microsoft Windows. Sembra dunque che Micron faccia sul serio e non voglia rimanere a guardare.

Oltre agli SSD di nuova generazione, Micron ha annunciato che questo mese verrà reso disponibile il LPDDR4X con nodo 1α, convalidando anche le memorie DDR4 con lo stesso nodo sulle principali piattaforme di data center. Questo tipo di memoria fornisce una tecnologia avanzata per favorire l’innovazione (punto cardine di questa conferenza), consentendo miglioramenti dell’efficienza energetica per le memoria che si riflettono in una maggiore durata della batteria dei dispositivi.

Il miglioramento del 40% nella densità di memoria e il 20% di risparmio energetico nell’utilizzo mobile hanno catturato anche l’attenzione di Acer, che tramite il CEO Jason Chen ha affermato di essere strettamente al lavoro con Micron per introdurre la più avanzata DRAM 1α nei suoi sistemi, in modo da coniugare le alte prestazioni con il basso consumo.

Per quanto riguarda il settore delle applicazioni automobilistiche, Micron ha annunciato che sta effettuando un campionamento delle densità a 128 GB e 256 GB della NAND a 96 strati: l’evoluzione dei sistemi di infotainment ha creato nuove esigenze del mercato, alle quali Micron risponde prontamente con l’offerta di memorie UFS 3.1, che assicurano elevate velocità di trasmissione per una bassa latenza, che nei sistemi avanzati di assistenza alla guida (ADAS) sono caratteristiche che fanno la differenza.

Secondo Yole Developement, società che si occupa di consulenza strategica e ricerche di mercato, il mercato NAND nel settore automotive arriverà a 3,6 miliardi di dollari nel 2025: numeri da capogiro, specialmente se si pensa al fatto che l’anno scorso questo valore era di “appena” 0,9 miliardi di dollari.

Anche Vasanth Waran, Senior Director of Product Management di Qualcomm ha dato il suo parere sull’evoluzione del mondo delle memorie in campo automobilistico:

“Il nuovo motore dell’auto moderna utilizza il calcolo centralizzato ad alte prestazioni per dirigere una IA ricca di dati, la visione artificiale e la capacità di elaborazione multisensore, con conseguente necessità di soluzioni di memoria e archiviazione avanzate. La gamma UFS 3.1 di Micron è progettata in modo unico per soddisfare i rigorosi requisiti in materia di affidabilità e prestazioni degli ambienti automobilistici, permettendo ai produttori di fare il salto di qualità per quanto riguarda i cockpit digitali personalizzati, adattivi e sensibili al contesto. Siamo entusiasti di lavorare con Micron Technology per ottimizzare le sue innovative soluzioni di archiviazione e memoria per l’uso delle nostre piattaforme automobilistiche”.

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