Le DDR4 stanno arrivando e i produttori di memorie non vogliono farsi cogliere impreparati. Intel prevede d'introdurre nella seconda metà dell'anno la piattaforma Xeon E5-2600 v3, ma non solo. In arrivo vi sono anche le CPU consumer Haswell-E destinate alla fascia più alta del mercato, che per ovvi motivi richiederà una nuova motherboard rispetto alle attuali soluzioni X79. Entro il 2016 potremo parlare di diffusione ormai globale per il nuovo standard di memoria.
Per questo motivo SK Hynix Inc. ha annunciato di aver realizzato un modulo di memoria da 128 gigabyte avvalendosi di chip di memoria DDR4 a 8 gigabit realizzati con un processo tra i 20 e i 30 nanometri.
"Questo modulo raddoppia la densità rispetto alle attuali soluzioni da 64 GB grazie alla tecnologia TSV (Through Silicon Via). Il modulo opera a 2133 Mbps e con interfacce di I/O a 64-bit processa fino a 17 GB di dati al secondo. Per il funzionamento richiede 1,2 volt, una tensione inferiore rispetto agli 1,35 volt delle DDR3", specifica SK Hynix.
L'azienda sudcoreana ha intenzione di distribuire i primi sample ai propri partner nei prossimi mesi, per poi avviare la produzione in volumi nella prima metà del prossimo anno. L'arrivo di un modulo di memoria a 128 GB è davvero importante, perché con le DDR4 "cambia tutto".
Il motivo è che sulle nuove piattaforme ogni canale di memoria supporta un solo modulo a causa dell'architettura topologica punto-punto. Ciò richiede moduli di memoria con livelli di densità molto elevati, così da garantire la corretta quantità di memoria pur occupando meno slot.