SK Hynix, recentemente coinvolta in un incidente che ha visto un proprio impianto andare a fuoco, scatenando il successivo aumento dei prezzi della DRAM, fa il punto della situazione e annuncia misure volte a bilanciare la capacità produttiva e - si spera - calmierare i prezzi. Sembra infatti che il completo ripristino della fabbrica richieda di più di quanto previsto, con uno slittamento dei tempi da novembre a dicembre a causa dei tempi necessari per la fornitura dei macchinari specializzati dedicati alla produzione.
La coperta è comunque corta, dato che SK Hynix, fornitrice di chip di memoria a diverse aziende tra cui Apple e Sony, ha annunciato che taglierà la capacità di produzione delle NAND Flash del 30% nel quarto trimestre per aumentare quella di chip DRAM e ripristinare i corretti volumi produttivi.
Una scelta che dovrebbe avere un impatto sui prezzi della NAND Flash e della DRAM nel breve termine. "La maggior parte della capacità è stata ripristinata e abbiamo iniziato a vedere segnali di un calo dei prezzi", ha affermato Mike Howard, analista di IHS iSuppli. "Non mi aspetto che i prezzi scendano rapidamente ma ci sarà una riduzione costante nelle prossime settimane".
Rimane da stabilire l'impatto sul costo della NAND Flash in virtù della scelta operata dall'azienda sudcoreana. C'è comunque da dire che i prezzi alti fanno la gioia dei produttori, dato che proprio SK Hynix ha pubblicato una trimestrale con un utile di 958 miliardi di won contro i 2 miliardi dell'anno passato. Non tutti i mali vengono per nuocere quindi, ovviamente quando non sei un consumatore.
SK Hynix continua comunque a diversificare la propria offerta e in queste ore ha annunciato un chip di memoria LPDDR3 da 6 gigabit - 768 megabyte - realizzato con un processo produttivo nella classe dei 20 nanometri. Questa soluzione di memoria è stata pensata per i dispositivi mobile di fascia alta, in quanto è possibile impilare quattro di questi chip LPDDR3 e realizzare soluzioni di memoria in un singolo package di 3 GB.
"In questo modo è possibile ridurre il consumo operativo così come la corrente di standby del 30% e l'altezza del package diventa sottile rispetto alle proposte da 4 gigabit", ha affermato il produttore. I chip richiedono una tensione di 1,2 volt e operano a 1866 Mbps, con una I/O a 32 bit in grado di processare fino a 7,4 GB di dati al secondo in un singolo canale e 14,8 GB in dual-channel.
La soluzione di memoria di SK Hynix è già stata distribuita ai clienti e la produzione di massa prenderà il via all'inizio del 2014. Nel mese di giugno l'azienda aveva annunciato di aver realizzato la prima LPDDR3 (Low Power DDR3) da 8 gigabit, così da poter realizzare singoli package da 4 GB per gli smartphone e i tablet del futuro.