La famiglia di SSD Samsung 850 EVO si allarga con un modello da 4 terabyte, capacità che rappresenta il top tra gli SSD destinati al consumatore tradizionale.
La nuova soluzione è basata su memoria V-NAND 3D TLC a 48 layer capace di garantire prestazioni sequenziali in lettura e scrittura rispettivamente di 540 e 520 MB/s. Per quanto riguarda le prestazioni casuali l'azienda sudcoreana indica 98.000 IOPS in lettura e 90.000 IOPS in scrittura con QD32 (QD = queue depth), mentre con QD1 le prestazioni scendono a 10.000 IOPS in lettura e 40.000 IOPS in scrittura.
Il controller rimane l'MHX, identico al modello da 2 TB, ma la memoria LPDDR3 a disposizione raddoppia arrivando a 4 GB. Come gli altri prodotti di questa linea anche il modello da 4 terabyte è dotata d'interfaccia SATA III (6 Gbps) ed è in formato da 2,5 pollici con spessore di 7 millimetri.
L'unità supporta la codifica AES-256, TCG/Opal 2.0 e IEEE 1667, mentre per quanto riguarda i consumi si parla di 3,1 watt / 3,6 watt rispettivamente in lettura e scrittura. Samsung indica un consumo in idle di 70 mW che scende a 10 mW per quanto riguarda lo stato DevSlp, caratteristica molto utile soprattutto in ambito mobile.
Samsung assicura una garanzia di 5 anni oppure 300 terabytes written (TBW). Il prezzo è di 1500 dollari, circa il doppio rispetto al modello da 2 terabyte (in Italia ci aggireremo intorno ai 1350 / 1400 euro).
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