Samsung Electronics ha avviato la produzione di massa di memoria DDR3 con processo produttivo a 20 nanometri. I chip realizzati in questo momento hanno una densità di 4 Gb, ovvero una capacità di 512 MB e sono ottenuti sfruttando la litografia a immersione ArF.
"Con la memoria DRAM, dove ogni cella consiste di un condensatore e un transistor collegati l'uno all'altro, lo scaling è più difficile rispetto alla memoria NAND Flash in cui una cella ha bisogno solamente di un transistor. Per continuare a scalare e realizzare DRAM più avanzate, Samsung ha rifinito il proprio progetto e le tecnologie produttive modificando la tecnica double patterning e un puntando sull'atomic layer deposition (deposizione di strati sottili, ndr)".
Questo ha permesso alla casa sudcoreana di realizzare DDR3 a 20 nanometri sfruttando l'equipaggiamento fotolitografico esistente, gettando le basi per la produzione di DRAM nella classe dei 10 nanometri. Samsung ha anche "creato con successo strati dielettrici ultrasottili di condensatori a cella con un'uniformità senza precedenti, che hanno portato ad avere prestazioni di cella superiori".
Grazie al nuovo processo produttivo l'azienda ha aumentato la produttività, che è oltre il 30% maggiore rispetto all'uso dei 25 nanometri e più del doppio rispetto alle soluzioni nella classe dei 30 nanometri, cioè tra 30 e 40 nanometri.
I moduli DDR3 da 4 Gb di nuova fattura possono inoltre consumare fino al 25% di energia in meno rispetto a soluzioni equivalenti ottenute a 25 nanometri. L'obiettivo di Samsung con la nuova memoria è chiaramente quello d'incrementare la quota di mercato. Secondo i dati di Gartner il settore delle DRAM crescerà di oltre 2 miliardi nel 2014 nei soli Stati Uniti, passando da 35,6 a 37,9 miliardi.