Memorie

Samsung e Toshiba, ecco la memoria degli smartphone 2018

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione di massa della prima memoria embedded Universal Flash Storage (eUFS) da 512 GB, destinata ai dispositivi mobile di prossima generazione, ovvero smartphone e tablet. La memoria consiste in otto chip di memoria V-NAND a 64 layer con una densità di 512 Gigabit e un controller, tutti impilati una sopra l'altro.

In questo modo l'azienda sudcoreana è riuscita a raddoppiare la densità della precedente eUFS basata su memoria V-NAND a 48 layer. Con la nuova memoria, ad esempio, "è possibile archiviare in uno smartphone circa 130 filmati da 10 minuti in 4K Ultra HD (3840×2160), dieci volte in più rispetto a una eUFS da 64 GB che permette di salvare circa 13 video delle stesse dimensioni".

samsung eufs

Per massimizzare le prestazioni e l'efficienza energetica Samsung ha lavorato in modo specifico sulla progettazione dei circuiti e il controller, sia sul profilo energetico che su quello prestazionale, con un processo di mapping dei blocchi logici in fisici più rapido. Per quanto riguarda le prestazioni in lettura e scrittura sequenziale la eUFS da 512 GB di Samsung raggiunge rispettivamente 860 MB/s e 225 MB/s. Le prestazioni con dati casuali si attestano a 42.000 IOPS in lettura e 40.000 IOPS in scrittura.

"Intendiamo aumentare rapidamente la produzione in volumi di questi chip V-NAND da 512 Gb e 64 layer, oltre a espandere la produzione V-NAND da 256 Gb", conclude Samsung. Il mondo delle memorie per smartphone registra però anche un'altra novità, che arriva da Toshiba. L'azienda nipponica ha iniziato a consegnare i primi sample di memoria UFS conforme alle specifiche 2.1: alla base c'è la memoria proprietaria BICS3 3D TLC a 64 layer e un controller sviluppato in casa.

toshiba ufs bics

Toshiba offre soluzioni da 32, 64, 128 e 256 GB. Questa memoria ha dimensioni del package pari a 11,5 x 13 mm e offre due linee full-duplex HS-Gear3 con un trasfer rate da 5,8 GT/s per linea. Più concretamente si parla di prestazioni in lettura sequenziale fino a 900 MB/s e fino a 180 MB/s in scrittura sequenziale per il modello da 64 GB.


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