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Samsung, ecco gli SSD in arrivo. C’è anche un 970 EVO Plus

Al Samsung Tech Day l'azienda sudcoreana ha illustrato le sue future mosse nel comparto SSD, tra memoria NAND TLC a 96 layer e NAND di tipo QLC.

Samsung ha condiviso durante il Tech Day di San Jose i propri piani in fatto di SSD e memoria 3D NAND. L’azienda ha intenzione di rinnovare l’offerta di unità a stato solido con la memoria 3D NAND TLC a 96 layer, che succederà all’attuale a 64 layer.

Di conseguenza, stando a quanto riportato da Anandtech, sul mercato arriveranno i successori degli SSD PM981 e 970 EVO, che prenderanno il nome di PM981a e 970 EVO Plus. “Le capacità rimarranno le stesse, spaziando da 250 GB a 2 TB. I miglioramenti prestazionali più rilevanti riguardano la scrittura sequenziale, ma il PM981a porterà anche significativi progressi nelle prestazioni casuali che si avvicineranno al 970 EVO e al 970 EVO Plus”.

Samsung ha intenzione di rinnovare anche l’offerta datacenter, con l’attuale PM983 basato su controller Phoenix come le unità appena citate, che sarà seguito dal PM983a. In questa caso oltre alla nuova memoria vedremo un raddoppio della capacità, con un tetto massimo fino a 16 TB.

L’attuale SSD BGA NVME PM971a sarà invece rimpiazzato dal PM991. Le prestazioni casuali e in scrittura sequenziale dovrebbero raddoppiare, mentre le prestazioni in lettura sequenziale dovrebbero aumentare del 50%, riporta Anandtech.

Attesi cambiamenti anche alla linea dei prodotti con interfaccia SAS, anche se si tratterà di un piccolo miglioramento, con il passaggio dal PM1643 al PM1643a che migliorerà le prestazioni in scrittura casuale di circa il 20%. In questo caso la capacità massima non subirà variazioni, continuando ad attestarsi a 30,72 TB.

La gamma di unità NVMe enterprise di fascia alta vedrà un grande aggiornamento del controller, con il supporto PCI Express 4.0 in aggiunta all’aggiornamento della NAND”, scrive Anandtech. Le prestazioni dovrebbero quindi salire in modo deciso, con le letture sequenziali che toccheranno 8 GB/s con il nuovo PM1733 rispetto ai 3,5 GB/s del PM1723b. Nella serie arriverà anche un modello da 30,72 TB. “Il PM1733 introduce anche il PCIe dual-port, fornendo un percorso di migrazione per gli utenti SSD SAS che richiedono questa funzionalità”.

Se quindi la memoria 3D NAND TLC a 96 layer sarà centrale nell’offerta di Samsung, l’azienda si prepara a introdurre anche la NAND QLC (Quad Level Cell), capace di archiviare 4 bit per cella, seguendo le orme di Intel e Micron.

La nuova memoria sarà sicuramente a bordo di quattro soluzioni: BM1733 e BM9A3 per quanto concerne gli SSD NVMe enterprise, BM1653 sul fronte degli SSD SAS enterprise e ci sarà anche una soluzione client, sempre NVMe, chiamata BM991.

Durante la sua presentazione Samsung ha anche parlato di SSD 860 QVO SATA e 980 QVO NVMe, due prodotti che potrebbero arrivare sul mercato consumer. Al momento però non si hanno maggiori dettagli.

L’azienda sudcoreana ha fatto inoltre sapere che nel corso del secondo trimestre 2019 introdurrà un die QLC da 512 gigabit ad alte prestazioni che si affiancherà al die da 1 terabit. “Samsung ha confrontato questo die da 512 Gb con quello da 1 Tb QLC di un non meglio precisato concorrente affermando che la propria soluzione offrirà almeno il 37% in meno di latenza in lettura e il 45% in meno di latenza di programmazione“.

Infine, l’azienda ha parlato anche di Z-NAND di seconda generazione. La Z-NAND è un derivato ad altissime prestazioni della memoria 3D NAND pensato per competere con la memoria 3D XPoint di Intel e Micron. I primi prodotti con chip di seconda generazione saranno gli SSD NVMe enterprise SZ1733 e SZ1735, che differiranno principalmente per la capacità dedicata all’overprovisioning.

“Samsung ha annunciato che la seconda generazione di Z-NAND includerà anche una versione MLC, ma le unità citate useranno la versione SLC. Gli SSD Z-NAND offriranno anche supporto PCIe 4.0 e doppia porta. Le prestazioni in lettura sequenziale arriveranno fino a 12 GB/s, anche se questa linea di prodotto punta tutto sulle operazioni casuali di I/O, di cui Samsung non ha ancora parlato”.

La linea di soluzioni Z-NAND dovrebbe fare un importante balzo in avanti quanto a capacità di archiviazione, dato che l’azienda ha mostrato un’unità da 4 TB, una quantità ben superiore agli 800 GB della prima generazione SZ985.