Samsung ha annunciato l'avvio della produzione di massa dei primi moduli di memoria DDR4 da 64 GB con tecnologia tridimensionale "through silicon via" (TSV). Le nuove RDIMM (registered dual Inline memory module), indirizzate al settore server, sono formate 36 chip di memoria DDR4, ognuno costituito da quattro die da 4 gigabit.
Per la produzione l'azienda sudcoreana si è affidata a un processo produttivo nella classe dei 20 nanometri, ovvero tra 20 e 30 nanometri. La realizzazione di moduli di memoria con tecnologia 3D TSV segna un nuovo passo avanti nell'uso di questo metodo di produzione, e segue la realizzazione di memoria 3D Vertical NAND (V-NAND), avvenuta lo scorso anno e usata in prodotti commerciali come nella gamma di SSD 850 Pro.
"Mentre la tecnologia 3D V-NAND adotta strutture verticali per insiemi di celle all'interno di un die monolitico, il 3D TSV è una soluzione di packaging innovativa che interconnette verticalmente die impilati. Per realizzare un package DRAM con tecnologia 3D TSV, i die DDR4 sono forati per consentire il passaggio degli elettroni ", spiega Samsung.
Il risultato è che il nuovo modulo è due volte più veloce di una soluzione da 64 GB realizzata attraverso la tradizionale tecnica wire bonding, e allo stesso tempo consuma circa la metà. Samsung, comunque, ritiene sia possibile impilare più di quattro DDR4, creando moduli con densità maggiori. Ci vorrà solo qualche tempo.