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Samsung, ecco la memoria degli SSD del futuro

Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di chip di memoria V-NAND di quinta generazione. Stiamo parlando di V-NAND di tipo TLC da 256 gigabit e 96 layer (l'azienda parla di oltre 90 layer senza specificare) che vedremo a bordo di SSD consumer, per il mondo enterprise e nel settore degli smartphone, solo […]

Samsung Electronics ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di chip di memoria V-NAND di quinta generazione. Stiamo parlando di V-NAND di tipo TLC da 256 gigabit e 96 layer (l'azienda parla di oltre 90 layer senza specificare) che vedremo a bordo di SSD consumer, per il mondo enterprise e nel settore degli smartphone, solo per citare alcuni esempi.

La V-NAND di quinta generazione è la prima a usare l'interfaccia Toggle DDR 4.0 ed è in grado di assicurare una velocità di trasmissione dati di 1,4 gigabit al secondo, il 40% in più rispetto alla V-NAND a 64 layer, usata attualmente su molti SSD dell'azienda e non solo.

Quinta generazione vuol dire anche efficienza, che rimane comparabile alla quarta generazione grazie a una riduzione della tensione operativa da 1,8 a 1,2 volt. La nuova V-NAND assicura inoltre una velocità di scrittura dati di 500 microsecondi (secondo Samsung la più veloce mai raggiunta), un miglioramento del 30% rispetto alla quarta generazione. Anche il tempo di risposta ai segnali di lettura è stato ridotto a 50 microsecondi.

samsung vnand quinta gen 01

All'interno della V-NAND di quinta generazione ci sono celle 3D CTF (3D charge trap flash), impilate in una struttura piramidale. Samsung si avvale di tecnologia Channel Hole che consente di connettere le celle verticalmente tra loro mediante un canale cilindrico che corre lungo ogni colonna di celle impilate e ruota di 90 gradi.

"Questi channel hole sono ampi solo poche centinaia di nanometri e contengono oltre 85 miliardi di celle CTF che possono archiviare 3 bit di dati ciascuna", spiega Samsung che aggiunge, "con i miglioramenti al processo di deposizione atomica dei layer, la produzione è stata aumentata di oltre il 30%. La tecnica permette all'altezza di ogni layer di celle di essere ridotta del 20%, impedendo le interferenze (crosstalk) tra le celle e aumentando l'efficienza nel processare i dati".

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Kye Hyun Kyung, vicepresidente esecutivo della divisione Flash Product and Technology di Samsung Electronics, ha dichiarato che parallelamente a questo annuncio l'azienda si sta preparando a introdurre sul mercato prossimamente chip di memoria da 1 terabit e V-NAND di tipo QLC (quad-level cell, quattro bit per cella).


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