Samsung Electronics ha annunciato di aver avviato la produzione di massa della sua prima eMRAM commerciale con processo produttivo a 28 nanometri FD-SOI, anche noto con il nome 28FDS. eMRAM sta per "embedded magnetic random access memory" e secondo l'azienda sudcoreana andrà a rimpiazzare gradualmente l'eFlash.
Quest'ultima sta infatti incontrando problemi di scalabilità a causa del suo funzionamento basato sull'archiviazione della carica, mentre il funzionamento della eMRAM si basa sulla misurazione della resistenza elettrica della cella, e questo permette una maggiore scalabilità, conservando altre caratteristiche come l'assenza di volatilità, l'accesso casuale e la conservazione del dato nel tempo.
La memoria eMRAM 28FDS di Samsung offre vantaggi sia per quanto riguarda i consumi che la velocità, inoltre mantiene i costi bassi. Dato che la eMRAM non richiede un ciclo di cancellazione prima della scrittura del dato, la sua velocità di scrittura è all'incirca un migliaio di volte maggiore dell'eFlash. Inoltre richiede una tensione operativa inferiore e non consuma energia quando è in modalità "power-off", il che garantisce una maggiore efficienza.
"Con l'annuncio odierno dimostriamo la nostra capacità di superare gli ostacoli tecnici e la possibilità di scalare ulteriormente la tecnologia di memoria embedded a 28 nanometri e oltre", ha affermato Samsung. La eMRAM troverà spazio in diversi settori, dai microcontroller (MCU) all'Internet of Things fino all'intelligenza artificiale.
Il 6 marzo, presso il campus Giheung di Samsung in Corea del Sud, si terrà una cerimonia celebrativa per la spedizione del primo prodotto eMRAM. Non ci sarà però troppo tempo per compiacersi, dato che Samsung ha l'obiettivo di eseguire il tape-out di un chip eMRAM con densità di 1 Gbit entro l'anno.