Samsung Electronics prosegue nello sviluppo del processo produttivo a 14 nanometri FinFET. L'azienda ha annunciato di aver raggiunto un altro passaggio importante in questo cammino, realizzando il tape out di diverse soluzioni, a partire da una SRAM fino ad arrivare un system on chip ARM Cortex-A7 completo.
Il colosso sudcoreano si è servito della collaborazione di alcuni partner, in primo luogo ARM, ma poi anche Cadence, Mentor e Synopsys. L'azienda ha inoltre siglato un accordo con ARM che copre librerie e proprietà intellettuali dedicate alle soluzioni a 14 nanometri. In questo modo Samsung si posiziona in modo ottimale per rispondere alle necessità dei consumatori e dei propri clienti, poiché come ben noto non produce chip solo per sé stessa, ma anche per altre realtà.
Un transistor FinFET (Fin Field Effect Transistor), di cui potete vedere la rappresentazione nelle immagini di questa notizia, ha una struttura diversa da quella tradizionale. Il termine venne coniato da ricercatori dell'Università della California (Berkeley), per descrivere una soluzione non planare a doppio gate realizzata su un substrato SOI (Silicon On Isulator) e basata sul design di un precedente transistor DELTA (single-gate, fully depleted lean channel transistor).
In una soluzione FinFET il canale conduttivo è avvolto da un sottile "pinna" di silicio che costituisce il corpo del transistor. Lo spessore della pinna (misurata da emittore a collettore) determina la lunghezza effettiva di canale conduttivo. Tutte le aziende stanno lavorando sui FinFET per i chip del futuro. Tra queste non manca Intel, che recentemente ha annunciato l'uso dei transistor tri-gate FinFET a 22 nanometri anche per i SoC dedicati a smartphone e tablet che arriveranno il prossimo anno.
La casa di Santa Clara è attiva anche sul fronte della produzione a 14 nanometri e recentemente a tal proposito c'erano state voci non molto incoraggianti, in particolare sulla produzione nell'impianto di Leixlip, in Irlanda, che sembrava destinata a slittare dopo la brusca interruzione di un corso di formazione dedicato ai dipendenti della fabbrica, rimandati rapidamente a casa dagli Stati Uniti.
Intel ha confermato che non c'è nessun ritardo né cambiamento sulla roadmap che aveva stabilito in precedenza. "Il ritorno anticipato a casa non è relativo ai piani di introduzione dei 14 nanometri", ha affermato Eamonn Sinnott, general manager di Intel Irlanda. Insomma la produzione a 14 nm FinFET nell'impianto irlandese si farà, ora resta da stabilire con esattezza il quando.