Samsung ha annunciato l'avvio della produzione di massa dei primi moduli di memoria DDR4 da 128 GB per server enterprise e datacenter (RDIMM, acronimo di "registered dual inline memory module").
Sul modulo sono presenti 144 chip di memoria DDR4, disposti in 36 package DRAM da 4 GB conteneneti ognuno quattro chip da 8 gigabit prodotti a 20 nanometri e assemblati con tecnologia TSV (through silicon via), ossia impilati e connessi verticalmente.
"I package dei chip tradizionali collegano i die impilati usando il wire bonding, mentre nei package TSV i die del chip sono impilati in poche decine di micrometri, forati con centinaia di fori sottili e collegati verticalmente da elettrodi che passano attraverso i fori, favorendo una maggiore trasmissione del segnale", spiega l'azienda sudcoreana.
Il modulo DDR4 da 128 GB figura inoltre un design tramite il quale il chip master di ogni package da 4GB integra la funzione di buffer dei dati per ottimizzare le prestazioni e i consumi. Le nuove RDIMM di Samsung hanno velocità fino a 2400 Mbps e una richiesta energetica decisamente ridotta rispetto alle precedenti proposte.
L'azienda ha intenzione di fornire nelle prossime settimane una lineup completa dei nuovi moduli TSV DRAM, offrendo anche soluzioni load reduced DIMM (LRDIMM) da 128 GB. Per il futuro sono previsti anche moduli da 2667 e 3200 Mbps.
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