Samsung ha svelato la prima gamma di SSD basata su memoria 3D V-NAND. Della "3D Vertical NAND Flash" avevamo scritto solo pochi giorni fa, spiegando che si tratta di una soluzione che punta ad aumentare prestazioni e densità attraverso uno sviluppo verticale.
Le memorie attuali sono tutte planari, cioè si sviluppano su una base orizzontale. Quelle del futuro, invece, per mantenere dimensioni accettabili e migliorare sotto ogni punto di vista si svilupperanno come dei grattacieli, aggiungendo un piano dopo l'altro (24, nel caso di Samsung) in modo da integrare quanto più possibile in una determinata area.
Per Samsung il passaggio dalla 3D V-NAND all'SSD è stato breve. L'azienda ha presentato la nuova gamma, identificata al momento come "V-NAND SSD", al Flash Memory Summit 2013. L'obiettivo del colosso sudcoreano è soddisfare le necessità delle aziende che possiedono server o datacenter con due soluzioni da 480 e 960 GB.
"Applicando la nostra 3D V-NAND forniamo un'elevata densità e un'eccezionale affidabilità, oltre che un incremento delle prestazioni del 20 percento e un miglioramento sul fronte dei consumi del 40 percento", ha dichiarato E.S. Jung di Samsung Electronics.
L'azienda ha assicurato che la versione da 960 GB è quella che offre le prestazioni migliori, cioè un "aumento di oltre il 20 percento nella velocità di scrittura sequenziale e casuale usando 64 die da 128 Gb di memoria 3D V-NAND di tipo MLC, il tutto abbinato a un'interfaccia SATA 6 Gbps. Il nuovo V-NAND SSD sostiene 35.000 cicli di programmazione e cancellazione ed è disponibile in formato da 2,5 pollici con spessore di 7 millimetri".
Per realizzare la memoria Samsung impiega un processo produttivo nella classe dei 10 nanometri - cioè tra 10 e 20 nm. E mentre la distribuzione di questi SSD è stata avviata a inizio agosto, sui prezzi tutto tace. D'altronde, è bene ricordarlo, si rivolgono al settore professionale, dove spesso e volentieri gli acquisti sono fatti su lotti di moltissime unità.