Samsung ha avviato la produzione di massa per le memorie LPDDR5 da 16 GB. I primi dispositivi ad adottare questo taglio di memoria saranno i Galaxy S20 Ultra. I colleghi della sezione Mobile Labs in questo articolo vi avevano raccontato ad inizio luglio che Samsung aveva iniziato in quel periodo la produzione delle memorie LPDDR5 da 12 GB, bene, ora è il turno del nuovo taglio.
Queste memorie guideranno il mercato delle memorie per i device mobile premium, con una capacità di archiviazione che permetterà di migliorare le funzionalità 5G e AI, compresi giochi particolarmente pesanti, e migliorie per l’ambito della fotografia intelligente, ovvero l’AI applicato all’ottimizzazione software delle fotocamere dei nostri smartphone.
"Samsung si è impegnata a portare le tecnologie di memoria all'avanguardia per permettere ai consumatori di godere di esperienze sorprendenti attraverso i loro dispositivi mobili. Siamo entusiasti di rimanere fedeli a questo impegno con la nostra nuova soluzione destinata al mobile top gamma, per i produttori di dispositivi globali. Con l'introduzione di una nuova linea di prodotti basata sulla nostra tecnologia di processo produttivo di nuova generazione, nel corso di quest'anno, Samsung sarà in grado di soddisfare pienamente le future richieste di memoria da parte dei clienti globali". Queste le parole di Cheol Choi, Senior Vice President of Memory Sales & Marketing di Samsung Electronics.
La velocità di trasferimento dati per le DRAM LPDDR5 da 16GB è di 5.500 megabit al secondo (Mb/s), circa 1,3 volte più veloce della precedente memoria. Pensiamo alle memorie LPDDR4X che hanno una velocità pari a 4266Mb/s. Rispetto ad un chip LPDDR4X da 8 GB, la nuova DRAM offre un risparmio energetico di oltre il 20%, fornendo fino al doppio della capacità.
Il modulo DRAM LPDDR5 di Samsung da 16 GB è composto da 8 chip da 12 gigabit (Gb) e 4 chip da 8Gb, sarà equipaggiato dagli smartphone di fascia alta ottenendo il doppio della capacità DRAM che possiamo trovare oggi, forse più di molti laptop e PC attuali. La capacità maggiore delle memorie in uno smartphone di fascia alta garantirà sessioni di gioco dinamiche e reattive con una grafica ad altissima risoluzione.
E mentre Samsung continua ad espandere e migliorare la capacità produttiva di memorie LPDDR5 nella sede di Pyeongtaek, l'azienda prevede di produrre in serie DRAM LPDDR5 da 16Gb basati sulla tecnologia del processo produttivo di terza generazione di classe 10nm (1z) nella seconda metà di quest'anno, in linea con lo sviluppo di un chipset da 6.400Mb/s. Con questa manovra Samsung cercherà ancor più di consolidare la sua pozione come produttore di memorie.
Ecco la tabella di marcia fin ora percorsa da Samsung:
| Data | Capacità | DRAM |
| Dicembre 2019 | 16 GB | 10nm-class 12Gb+8Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Settembre 2019 | 12GB(uMCP) | 10nm-class 24Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Luglio 2019 | 12 GB | 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
| Giugno 2019 | 6 GB | 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Febbraio 2019 | 12GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Luglio 2018 | 8GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Aprile 2018 | 8GB (sviluppo) | 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
| Settembre 2016 | 8GB | 10nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
| Agosto 2015 | 6GB | 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
| Dicembe 2014 | 4GB | 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
| Settembre 2014 | 3GB | 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Novembre 2013 | 3GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Luglio 2013 | 3GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Aprile 2013 | 2GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
| Agosto 2012 | 2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
| 2011 | 1/2GB | 30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
| 2010 | 512MB | 40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
| 2009 | 256MB | 50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |
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