La nota multinazionale coreana Samsung ha recentemente affermato che questo trimestre dovrebbe iniziare la produzione di massa di chip con il suo processo 3GAE (Gate All-Around di classe 3nm). Si tratta di un passo avanti decisamente importante per Samsung Foundry e, più in generale, per l'intero settore, in quanto si tratta del primo nodo che utilizza gate-all-around field effect transistor (GAAFET), che l'azienda chiama ufficialmente multi-bridge field-effect transistor (MBCFET).
Stando alla società, questo nuovo processo consentirebbe di ottenere un aumento delle prestazioni sino al 30%, una riduzione del consumo di energia del 50% e una densità di transistor superiore fino all'80%. Ovviamente, questi dati sono puramente teorici e sarà necessario verificare se questi valori saranno mantenuti anche in campo reale. A ogni modo, indubbiamente i GAAFET possiedono diversi vantaggi rispetto agli attuali FinFET, a partire dai canali, che sono formati tramite l'epitassia e la rimozione selettiva dei materiali, consentendo una regolazione più precisa della loro larghezza che porta ad un abbattimento dei consumi e della variabilità delle prestazioni. Secondo una recente presentazione di Applied Materials, i GAAFET promettono di diminuire l'area della cella del 20-30% e avere migliori rendimenti.
La tecnologia 3GAE di Samsung LSI sarà utilizzata principalmente da Samsung LSI e pochi clienti importanti di Samsung Foundry, dato che essendo un sistema nuovo potrebbero esserci alcuni rischi legati all'impiego di strumenti completamenti nuovi. Inoltre, non va di certo dimenticato che anche i progettisti di chip dovranno sviluppare un nuovo IP, operazione che richiede tempo e denaro.
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