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a cura di Manolo De Agostini

Samsung annuncia l'inizio della produzione di massa delle memorie NAND Flash 4 Gbit a 70 nm.

La memoria 4 Gbit NAND Flash ha una velocità di scrittura di 16MB/s, con un boost prestazionale del 50 percento rispetto alle memorie 2Gb NAND Flash 90 nm, mentre l' uso del processo a 70 nm permette di creare celle di memoria più piccole. La compagnia dichiara che l'alta velocità di scrittura permette lo storage di video High Definition.