Samsung ha iniziato la produzione di massa della prima memoria 3D Vertical NAND Flash. La nuova V-NAND consentirà la fabbricazione di memorie Flash di capacità maggiore rispetto ai limiti attuali. Le memorie NAND Flash sono impiegate in una vasta gamma di dispositivi, tra cui SSD e soluzioni mobile come smartphone e tablet.
Le nuove V-NAND di Samsung sono composte da un unico chip con 128 gigabit (Gb) di densità, realizzate usando una procedura di produzione verticale tridimensionale. In questo modo le nuove NAND Flash sono in grado di fornire una capacità di archiviazione di gran lunga maggiore a quella dei modelli a fabbricazione planare da 20 nm.
3D Vertical NAND Flash
"La nuova tecnologia 3D V-NAND flash è il risultato di anni di ricerca volti a superare le limitazioni delle tecnologie di progettazione dei semiconduttori", ha spiegato Jeong-Hyuk Choi di Samsung Electronics. "Dopo avere avviato la produzione di massa dei primi prodotti continueremo a lavorare per sviluppare memoria 3D V-NAND con migliori prestazioni e maggiore densità".
Negli ultimi 40 anni la fabbricazione di memoria Flash si è basata su strutture planari. Man mano che i processi produttivi si avvicinano al limite,aumenta la preoccupazione per lo sviluppo di questa tecnologia, a causa dell'interferenza fra le celle che causa problemi di affidabilità.
3D Vertical NAND Flash
La nuova Samsung V-NAND esce vincente da queste sfide tecniche e consente di raggiungere nuovi livelli di innovazione nei circuiti. Il successo nella produzione di chip a sviluppo verticale è stato ottenuto grazie al perfezionamento dell'architettura proprietaria CTF, sviluppata nel 2006. La tecnologia proprietaria di interconnessione verticale creata da Samsung consente di impilare fino a 24 strati di cellule in verticale.
Questi primi chip V-NAND, secondo il colosso asiatico, sono dalle due alle dieci volte più affidabili e offrono prestazioni in scrittura raddoppiate rispetto alle attuali memorie Flash prodotte nella classe dei 10 nanometri.