Samsung pronta con la memoria a 64 strati per gli SSD

Samsung ha annunciato di essere pronta a produrre in volumi memoria V-NAND a 64 layer con una densità di 256 Gbit. A giovarne SSD e smartphone.

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a cura di Manolo De Agostini

Samsung ha annunciato l'avvio della produzione in volumi di memoria V-NAND a 64 layer con una densità di 256 Gbit. L'azienda sudcoreana, in realtà, ha iniziato a fornire i primi SSD basati sui nuovi chip di memoria ad alcuni clienti di spicco del settore IT a gennaio, e ora è pronta a soddisfare le richieste di altri clienti, non solo del settore SSD, ma anche di quello smartphone.

C'è da augurarsi che questo nuovo passo avanti possa portare a soddisfare la domanda di capacità sempre più in crescita, e di conseguenza ad abbassare i prezzi cresciuti enormemente nell'ultimo anno.

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Questo è tuttavia da intendersi solo come un passo intermedio verso la produzione di chip con una densità di 512 Gbit. L'azienda ne ha parlato lo scorso anno al Flash Memory Summit. "Per dare ulteriore solidità al vantaggio competitivo nel mercato delle memorie, Samsung intende coprire con la produzione in volumi di V-NAND a 64 layer più del 50% della sua produzione di NAND flash entro la fine dell'anno", si legge in una nota stampa.

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Si tratta di chip di memoria TLC, capaci di conservare 3 bit per cella, con una velocità nel trasferimento dati di 1 Gbps. "La V-NAND ha anche il tempo di programmazione di pagina (tPROG) più breve nell'industria NAND flash, 500 microsecondi, circa quattro volte più veloce rispetto alla memoria planare nella classe dei 10 nanometri e circa 1,5 volte più rapida rispetto alla più veloce V-NAND TLC a 48 player e 256 Gbit da noi prodotta", si legge sempre nella nota.

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Con i nuovi chip di memoria Samsung intende migliorare di oltre il 30% le prestazioni rispetto alle analoghe soluzioni a 48 layer. Allo stesso tempo, grazie a una tensione di 2,5V - minore dei 3,3V richiesti dalla soluzione precedente - assicura un'efficienza energetica maggiore. Samsung parla anche di un'affidabilità della cella incrementata del 20%.


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